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2N7000-G 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2N7000-G
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内容描述: N沟道增强型垂直DMOS场效应管 [N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关输入元件
文件页数/大小: 5 页 / 524 K
品牌: SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
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2N7000  
Typical Performance Curves (cont.)  
BVDSS Variation with Temperature  
On-Resistance vs. Drain Current  
5.0  
4.0  
±.0  
2.0  
1.1  
1.0  
0.9  
V
= 4.5V  
GS  
V
= 10V  
GS  
1.0  
0
-50  
0
50  
100  
150  
0
-50  
0
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
2.5  
Tj (OC)  
ID (amperes)  
Transfer Characteristics  
= 25V  
V(th) and RDS Variation with Temperature  
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
1.9  
1.6  
1.±  
1.0  
0.7  
0.4  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
V
DS  
T
= -55OC  
A
R
@ 10V, 1.0A  
DS  
25OC  
V
@ 1mA  
125OC  
(th)  
0.5  
0
0
2
4
6
8
10  
0
50  
100  
150  
V
GS (volts)  
Tj(OC)  
Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage  
f = 1MHz  
Gate Drive Dynamic Characteristics  
100  
75  
50  
25  
0
10  
8
V
= 10V  
80 pF  
DS  
40V  
6
4
C
ISS  
C
OSS  
2
0
C
RSS  
40 pF  
0.2  
0
10  
20  
±0  
40  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
QG (nanocoulombs)  
VDS (volts)  
4
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