IRF830 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF830
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内容描述：	功率MOSFET [POWER MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管局域网
文件页数/大小：	4 页 / 212 K
品牌：	SUNTAC [ SUNTAC ELECTRONIC CORP. ]

IRF830

OWER

MOSFET

电气特性

除非另有规定，T

= 25

CIRF830

特征

漏源击穿电压

= 0 V，I

= 250 A)

漏极 - 源极漏电流

= 500V, V

= 0 V)

门源漏电流，正向

GSF

= 20 V, V

= 0 V)

门源漏电流，反向

GSR

= -20 V, V

= 0 V)

栅极阈值电压

= V

, I

= 250 A)

静态漏源导通电阻（V

= 10 V，I

= 2.7A ）（注3）

正向跨导（V

= 15V ，我

= 2.5 A）（注3 ）

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

= 400V ，我

= 5A

= 10V ）（注3）

= 250 V，I

= 5 A,

= 9.1 , V

= 10V ）（注3）

= 25 V, V

= 0 V,

F = 1.0兆赫）

符号

（ BR ） DSS

DSS

GSSF

GSSR

GS （ TH）

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

2.8

520

170

7.0

9.0

4.5

7.5

730

240

2.0

100

-100

4.0

1.5

姆欧

民

500

典型值

最大

单位

内部排水电感

（从漏测铅0.25“从包到模具的中心）

内部排水电感

（测量从源铅0.25 “从包装到源焊盘）

源极 - 漏极二极管的特性

反向恢复电荷

向前开启时间

反向恢复时间

二极管的正向电压

= 5A ，V

= 0 V

= 5A ，的di / dt = 100A / μs的，T

= 25

1.8

415

1.5

µC

记

（ 1 ）重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温

(2) V

= 100V, V

= 10V ，L = 10MH ，我

= 5A ，R

= 25

（3） Pulse.Test ： .Duty

周期

2% ,

Pulse.Width

300µs

**忽略不计，占主导地位的电路中电感

第2页

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