IRF830 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF830
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内容描述：	功率MOSFET [POWER MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管局域网
文件页数/大小：	4 页 / 212 K
品牌：	SUNTAC [ SUNTAC ELECTRONIC CORP. ]

IRF830

OWER

MOSFET

概述

这是功率MOSFET专为低电压，高

高速功率开关应用，如开关

监管机构， conveters ，电磁阀和继电器驱动器。

特点

更高的额定电流

低ř

DS （ ON）

，低的电容

低总栅极电荷

更严格的VSD技术指标

较高的雪崩能量

引脚配置

TO-220/TO-220FP

符号

顶视图

摹吃

SO URCE

漏

N沟道MOSFET

订购信息

产品型号

.................IRF830FP

包

TO-220FP

.................IRF830....................................................TO-220

绝对最大额定值

等级

漏电流

连续

脉冲（注1 ）

栅极 - 源极电压

总功耗

减免上述25

单脉冲雪崩能量（注2 ）

工作和存储温度范围

热阻

结到外壳

结到环境

最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒

, T

英镑

符号

价值

5.0

±20

0.77

125

-55到150

1.70

300

单位

CONTINUE

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