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IRF630 参数 Datasheet PDF下载

IRF630图片预览
型号: IRF630
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内容描述: 功率MOSFET [POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 124 K
品牌: SUNTAC [ SUNTAC ELECTRONIC CORP. ]
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IRF630
P
OWER
MOSFET
典型电气特性
100
I
D
,漏极 - 源极电流(A )
10
I
D
,漏极 - 源极电流(A )

VGS
顶部
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
100
10

VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
1
4.5V
4.5V
1
0.1
0.01
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10

100
0.1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 175
°
C
1
10

100
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
R
DS ( ON)
,漏极 - 源极导通电阻
(归一化)
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
I
D

= 9.3A
I
D
,漏极 - 源极电流(A )
10
T
J
= 175
°
C

1
T
J
= 25
°
C

0.1
4.0

V DS = 50V
20μs的脉冲宽度
8.0
9.0
5.0
6.0
7.0
10.0
0.0
-60 -40 -20 0
V
GS
= 10V

20 40 60 80 100 120 140 160 180
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
T
J
,结温(
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
第3页