IRF630
P
OWER
MOSFET
电气特性
除非另有规定，T
J
= 25
.
CIRF630
特征
漏源击穿电压
(V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A)
漏极 - 源极漏电流
(V
DS
= 200V, V
GS
= 0 V)
(V
DS
= 160V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 )
门源漏电流，正向
(V
GSF
= 20 V, V
DS
= 0 V)
门源漏电流，反向
(V
GSR
= -20 V, V
DS
= 0 V)
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A)
静态漏源导通电阻（V
GS
= 10 V，I
D
= 5.4A ） （注4 ）
正向跨导（V
DS
= 50V ，我
D
= 5.4 A） （注4 ）
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
(V
DS
= 160V ，我
D
= 5.9A
V
GS
= 10 V ） （注4 ）
(V
DD
= 100 V，I
D
= 5.9 A,
R
G
= 12 , R
D
= 16 ） （注4 ）
(V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0兆赫）
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
25
250
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
L
D
L
S
4.5
7.5
3.8
800
240
76
9.4
28
39
20
43
7.0
23
2.0
100
-100
4.0
0.40
姆欧
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nH
nH
nA
nA
V
民
200
典型值
最大
单位
V
A
内部排水电感
（从漏测铅0.25“从包到模具的中心）
内部排水电感
（测量从源铅0.25 “从包装到源焊盘）
源极 - 漏极二极管的特性
反向恢复电荷
向前开启时间
反向恢复时间
二极管的正向电压
I
F
= 5.9A ，的di / dt = 100A / μs的，T
J
= 25
（注4 ）
I
S
= 9.0A ，V
GS
= 0 V ，T
J
= 25
（注4 ）
Q
rr
t
on
t
rr
V
SD
1.1
**
170
2.2
340
2.0
µC
ns
V
记
（ 1 ）重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温
(2) V
DD
= 50V ，起始物为
J
= 25 ，L = 4.6mH ，R
G
= 25 , I
AS
= 9.0A
(3) I
SD
9.0A ， di / dt的
120A / μs的，V
DD
V
（ BR ） DSS
, T
J
150
（ 4 ）脉冲测试：脉冲宽度300μS ，占空比2 ％
**忽略不计，占主导地位的电路中电感
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