12A双向可控硅逻辑电平
图。 4 ：
值）。
ITM （ A）
100
130
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
BTA / BTB12系列
通态特性（最大
图。 5 ：
浪涌峰值通态电流 -
周期数。
ITSM （ A）
t=20ms
TJ最大
不重复
TJ初始= 25°C
一个周期
10
Tj=25°C
TJ最大。
VTO = 0.85 V
RD = 35毫欧
重复
Tc=90°C
VTM （ V）
周期数
1
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
1
10
100
1000
图。 6 ：
非重复浪涌峰值通态
电流的正弦脉冲宽度
TP < 10毫秒，而I了相应的价值。
ITSM （ A） ， I了（ A²s ）
1000
di / dt的限制：
50A/µs
TJ初始= 25°C
图。 7 ：
门极触发电流的相对变化，
保持电流和闭锁电流对
结温度（典型值）。
IGT ，IH， IL [ TJ ] / IGT ，IH， IL 〔环境温度为25 ℃]
2.5
2.0
IGT
ITSM
1.5
100
I了
IH & IL
1.0
0.5
TJ （ ° C）
TP（ ms）的
10
0.01
0.10
1.00
10.00
0.0
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
图。 8-1 ：
临界速度的相对变化
下降主要与当前（的dV / dt ）的C （典型值
值） （ BW / CW / T1235 ） 。
（ di / dt的） C [ （的dV / dt ） C] /指定的（ di / dt的）C
2.8
2.4
2.0
C
SW
图。 8-2 ：
临界速度的相对变化
下降主要与当前（的dV / dt ）的C （典型值
值）（台湾） 。
（ di / dt的） C [ （的dV / dt ） C] /指定的（ di / dt的）C
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
TW
1.6
1.2
0.8
0.4
B
BW/CW/T1235
2.0
1.5
1.0
0.5
（的dV / dt ）C （V / μs）内
（的dV / dt ）C （V / μs）内
1.0
10.0
100.0
0.0
0.1
1.0
10.0
100.0
0.0
0.1
4/4
SUNTAC [ SUNTAC ELECTRONIC CORP. ]
