BTA / BTB12系列
12A双向可控硅逻辑电平
电气特性
（ TJ = 25 ° C，除非另有规定）
■
无缓冲器™和逻辑电平（ 3象限）
符号
测试条件
象限
T12
T1235
I
GT
(1)
V
GT
V
GD
I
H
(2)
I
L
的dV / dt （2）
V
D
= 12 V
R
L
= 30
Ω
I - II - III
I - II - III
I - II - III
马克斯。
马克斯。
分钟。
马克斯。
I - III
II
V
D
= 67 %V
DRM
门打开
TJ = 125°C
TJ = 125°C
TJ = 125°C
TJ = 125°C
（的dV / dt ） c = 10 V / μs的
无缓冲
分钟。
分钟。
马克斯。
35
50
60
500
-
-
6.5
10
10
15
20
3.5
1
-
35
TW
5
SW
10
1.3
0.2
15
25
30
40
6.5
2.9
-
35
50
60
500
-
-
6.5
50
70
80
1000
-
-
12
V / μs的
A / MS
BTA/BTB12
CW
35
BW
50
mA
V
V
mA
mA
单位
V
D
= V
DRM
R
L
= 3.3 kΩ
TJ = 125°C
I
T
= 100毫安
I
G
= 1.2 I
GT
（的dI / dt的）C（ 2）（的dV / dt ）C = 0.1V / μs的
■
STANDARD （ 4象限）
符号
测试条件
象限
BTA/BTB12
C
I
GT
(1)
V
D
= 12 V
V
GT
V
GD
I
H
(2)
I
L
的dV / dt （2）
V
D
= V
DRM
R
L
= 3.3 kΩ的TJ = 125°C
I
T
= 500毫安
I
G
= 1.2 I
GT
V
D
= 67 %V
DRM
门敞开着TJ = 125°C
TJ = 125°C
I - III - IV
II
分钟。
分钟。
（的dV / dt ）C （ 2 ） （ di / dt的）C = 5.3 A / MS
R
L
= 30
Ω
I - II - III
IV
所有
所有
马克斯。
马克斯。
分钟。
马克斯。
马克斯。
25
40
80
200
5
25
50
1.3
0.2
50
50
100
400
10
V / μs的
V / μs的
B
50
100
mA
V
V
mA
mA
单位
静态特性
符号
V
T
(2)
V
to
(2)
R
d
(2)
I
DRM
I
RRM
注1 ：
最小的IGT是guaranted在IGT的最大值的5％。
注2 ：
为A2的两极参考A1
测试条件
I
TM
= 17 A
TP = 380微秒
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
价值
1.55
0.85
35
5
1
单位
V
V
mΩ
µA
mA
阈值电压
动态电阻
V
DRM
= V
RRM
2/4
SUNTAC [ SUNTAC ELECTRONIC CORP. ]
