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    STP7N52K3 参数 Datasheet PDF下载

    STP7N52K3图片预览
    型号： STP7N52K3
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道525 V， 0.84欧姆， 6.2 A， D2PAK ， DPAK ， TO- 220FP ， TO- 220 SuperMESH3功率MOSFET [N-channel 525 V, 0.84 OHM, 6.2 A, D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220 SuperMESH3 Power MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 18 页 / 1197 K
    品牌： STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
     浏览型号STP7N52K3的Datasheet PDF文件第1页浏览型号STP7N52K3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STP7N52K3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STP7N52K3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STP7N52K3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STP7N52K3的Datasheet PDF文件第7页浏览型号STP7N52K3的Datasheet PDF文件第8页浏览型号STP7N52K3的Datasheet PDF文件第9页  
    电气特性
    STB7N52K3 ， STD7N52K3 ， STF7N52K3 ， STP7N52K3
    2
    电气特性
    (T
    C
    = 25 ° C除非另有说明）
    表4 。
    符号
    V
    （ BR ） DSS
    I
    DSS
    I
    GSS
    V
    GS （ TH）
    R
    DS （上
    开/关状态
    参数
    漏源
    击穿电压
    测试条件
    I
    D
    = 1毫安， V
    GS
    = 0
    分钟。
    525
    1
    50
    ± 10
    3
    3.75
    0.84
    4.5
    0.98
    典型值。
    马克斯。
    单位
    V
    µA
    µA
    µA
    V
    Ω
    V
    DS
    =最大额定值
    零栅极电压
    漏电流（V
    GS
    = 0) V
    DS
    =最大额定值，T
    C
    =125 °C
    门体漏
    电流（V
    DS
    = 0)
    V
    GS
    = ± 20 V
    栅极阈值电压V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 50 µA
    静态漏源
    阻力
    V
    GS
    = 10 V，I
    D
    = 3.1 A
    表5 。
    符号
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    (1)
    动态
    参数
    输入电容
    输出电容
    反向传输
    电容
    当量
    电容时间
    相关
    当量
    电容能源
    相关
    内在门
    阻力
    总栅极电荷
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极电荷
    V
    DS
    = 0〜 520 V ，V
    GS
    = 0
    -
    126
    -
    pF
    测试条件
    分钟。
    典型值。
    737
    110
    10
    马克斯。
    单位
    pF
    pF
    pF
    V
    DS
    = 100 V，F = 1MHz时，
    V
    GS
    = 0
    -
    -
    C
    O（ TR ）
    -
    198
    -
    pF
    C
    o(er)(2)
    R
    G
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    F = 1 MHz的漏极开路
    V
    DD
    = 420 V，I
    D
    = 6 A,
    V
    GS
    = 10 V
    （见
    图20）
    -
    4
    34
    4.4
    15
    -
    Ω
    nC
    nC
    nC
    -
    -
    1. C
    OSS EQ 。
    时间相关的被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
    OSS
    当V
    DS
    增加了从0到80 ％的V
    DSS
    2. C
    OSS EQ 。
    能量相关的被定义为一个常数等效电容给出相同存储的能量作为
    C
    OSS
    当V
    DS
    增加了从0到80 ％的V
    DSS
    4/18
    文档ID 14896第2版

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