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STP7N52K3 参数 Datasheet PDF下载

STP7N52K3图片预览
型号: STP7N52K3
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内容描述: N沟道525 V, 0.84欧姆, 6.2 A, D2PAK , DPAK , TO- 220FP , TO- 220 SuperMESH3功率MOSFET [N-channel 525 V, 0.84 OHM, 6.2 A, D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220 SuperMESH3 Power MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 18 页 / 1197 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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STB7N52K3 , STD7N52K3 , STF7N52K3 , STP7N52K3
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM (2)
P
合计
I
AR
E
AS
V
ESD (G -S )
dv / dt的
(3)
V
ISO
T
英镑
T
j
绝对最大额定值
价值
参数
TO- 220 DPAK D²PAK TO- 220FP
漏源电压(V
GS
= 0)
栅 - 源电压
漏电流(连续)在T
C
= 25 °C
漏电流(连续)在T
C
= 100 °C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25 °C
雪崩电流,重复或不可─
重复(脉冲宽度限制T
j
MAX )
单脉冲雪崩能量
(起始物为
j
= 25 ° C,I
D
= I
AR
, V
DD
= 50V)
门源ESD( HBM -C = 100 pF的,
R = 1.5千欧)
峰值二极管恢复电压斜率
从绝缘耐受电压(有效值)
所有这三个导到外部的散热器
(T = 1秒;吨
C
= 25 °C)
储存温度
马克斯。工作结温
-55到150
150
6.2
4.5
24.8
90
6.2
100
2500
12
2500
525
± 30
6.2
(1)
4.5
(1)
24.8
(1)
25
V
V
A
A
A
W
A
mJ
V
V / ns的
V
°C
°C
单位
1.限制由包
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3. I
SD
6.3 A, ​​di / dt的=待定,V
DD
= 80% V
( BR ) DSS 。
表3中。
符号
R
THJ情况
R
THJ -PCB
R
THJ - AMB
T
l
热数据
价值
参数
TO- 220 DPAK D²PAK TO- 220FP
热阻结案件最大
热阻结到PCB最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的
用途
62.5
300
1.39
50
30
62.5
5
° C / W
° C / W
° C / W
°C
单位
文档ID 14896第2版
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