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STP7N52K3 参数 Datasheet PDF下载

STP7N52K3图片预览
型号: STP7N52K3
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内容描述: N沟道525 V, 0.84 Ω , 6.3 A, ​​D2PAK , DPAK , TO- 220FP , TO- 220 SuperMESH3 ™功率MOSFET [N-channel 525 V, 0.84 Ω, 6.3 A, D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220 SuperMESH3™ Power MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 15 页 / 380 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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STB7N52K3 - STD7N52K3 - STF7N52K3 - STP7N52K3
电气特性
表8 。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 6.3 A,V
GS
= 0
I
SD
= 6.3 A, ​​di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 30 V (见
I
SD
= 6.3 A, ​​di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 30 V ,T
j
= 150 °C
(见
待定
待定
待定
待定
待定
待定
测试条件
分钟。
典型值。
MAX 。 UNIT
6.3
25
1.6
A
A
V
ns
nC
A
ns
nC
A
V
的SD (2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比1.5 %
表9 。
符号
BV
GSO(1)
门源稳压二极管
参数
栅源击穿
电压
测试条件
IGS = ±1 MA(漏极开路)
30
典型值
最大单位
V
1.内置背到背的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力,同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变,可能偶尔会
从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的,以实现高效和
具有成本效益的干预措施,以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免
外部元件的使用情况
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