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STP7N52K3 参数 Datasheet PDF下载

STP7N52K3图片预览
型号: STP7N52K3
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内容描述: N沟道525 V, 0.84 Ω , 6.3 A, ​​D2PAK , DPAK , TO- 220FP , TO- 220 SuperMESH3 ™功率MOSFET [N-channel 525 V, 0.84 Ω, 6.3 A, D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220 SuperMESH3™ Power MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 15 页 / 380 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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STB7N52K3 - STD7N52K3 - STF7N52K3 - STP7N52K3
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM (2)
P
合计
绝对最大额定值
价值
参数
TO- 220 DPAK D²PAK TO- 220FP
漏源电压(V
GS
= 0)
栅 - 源电压
漏电流(连续)在T
C
= 25 °C
漏电流(连续)在T
C
= 100 °C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25 °C
降额因子
6.3
4
25
90
0.72
2500
待定
--
-55到150
150
2500
525
± 30
6.3
(1)
4
(1)
25
(1)
25
0.2
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
V
V / ns的
V
°C
°C
单位
V
ESD (G -S )
dv / dt的
(3)
V
ISO
T
英镑
T
j
门源ESD( HBM -C = 100 pF的,
R = 1.5千欧)
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘从所有的耐压( RMS)
3导到外部的散热器
(T = 1秒;吨
C
= 25 °C)
储存温度
马克斯。工作结温
1.限制由包
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3. I
SD
6.3 A, ​​di / dt的=待定,V
DD
= 80% V
( BR ) DSS 。
表3中。
符号
R
THJ情况
R
THJ -PCB
R
THJ - AMB
T
l
热数据
参数
热阻结案件最大
热阻结到PCB最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的
用途
--
62.5
TO- 220 DPAK D²PAK TO- 220FP
1.39
50
--
30
--
300
5
--
62.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
°C
表4 。
符号
I
AR
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流,重复或不重复
(脉冲宽度限制T
j
MAX )
单脉冲雪崩能量
(起始物为
j
= 25 ° C,I
D
= I
AR
, V
DD
= 50V)
最大值
6.3
待定
单位
A
mJ
3/15