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STP75NF75L 参数 Datasheet PDF下载

STP75NF75L图片预览
型号: STP75NF75L
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内容描述: N沟道75V - 0.009欧姆 - 75A D2PAK / I2PAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET [N-CHANNEL 75V - 0.009 ohm - 75A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 11 页 / 384 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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STB75NF75L / -1 STP75NF75L
电气特性
(续)
接通
符号
t
D(上)
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
I
D
= 37.5 A
V
DD
= 40 V
R
G
= 4.7
V
GS
= 4.5 V
(阻性负载,图3 )
V
DD
= 60V我
D
= 75 A V
GS
= 5V
分钟。
典型值。
35
150
75
18
31
90
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D(关闭)
t
f
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
I
D
= 37.5 A
V
DD
= 40 V
R
G
= 4.7Ω,
V
GS
= 4.5 V
(阻性负载,图3 )
分钟。
典型值。
110
60
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM ( • )
V
SD (*)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 75 A
V
GS
= 0
100
380
7.5
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
75
300
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
的di / dt = 100A / μs的
I
SD
= 75 A
V
DD
= 20 V
T
j
= 150°C
(见测试电路,图5 )
(*)
脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比为1.5% 。
(
•)
脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区
热阻抗
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