STP75NF75L 参数 Datasheet PDF下载

型号：	STP75NF75L
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内容描述：	N沟道75V - 0.009欧姆 - 75A D2PAK / I2PAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET [N-CHANNEL 75V - 0.009 ohm - 75A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小：	11 页 / 384 K
品牌：	STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]

N沟道75V - 0.009

Ω

- 75A ð

PAK / I

PAK/TO-220

的STripFET ™II功率MOSFET

TYPE

STB75NF75L/-1

STP75NF75L

STB75NF75L STB75NF75L - 1

DSS

75 V

DS （ ON）

<0.011

Ω

<0.011

Ω

75 A

典型ř

（上） = 0.009Ω

DV dt能力EXCEPTIONAL /

100％的雪崩测试

低阈值DRIVE

PAK

TO-263

PAK

TO-262

描述

这实现了与意法半导体MOSFET系列产品

独特的STripFET进程专门设计

以减少输入电容和栅极电荷。这是

因此适合作为先进的高初级开关

效率，高频隔离型DC- DC转换器

电信和计算机应用。它也意

与低栅极驱动要求的任何应用程序

TO-220

内部原理图

应用

电磁阀和继电器驱动器

直流电机控制

DC- DC转换器

汽车环境

绝对最大额定值

符号

DGR

(•)

(••)

合计

dv / dt的

(1)

AS （2）

英镑

参数

漏源电压（V

= 0)

漏，栅极电压（R

= 20 kΩ)

栅 - 源电压

漏电流（连续）在T

= 25°C

漏电流（连续）在T

= 100°C

漏电流（脉冲）

总功耗在T

= 25°C

降额因子

峰值二极管恢复电压斜率

单脉冲雪崩能量

储存温度

马克斯。工作结温

价值

± 15

300

680

-55至175

单位

W / ℃，

V / ns的

°C

（ • ），通过封装电流限制

(••)

脉冲宽度有限的安全工作区。

2002年4月

(1) I

≤

75A ， di / dt的

≤

500A / μs的，V

≤

（ BR ） DSS

, T

≤

JMAX 。

（ 2 ）起始物为

= 25

C，我

= 37.5A ，V

= 30V

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