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    STM8S003F3P6 参数 Datasheet PDF下载

    STM8S003F3P6图片预览
    型号： STM8S003F3P6
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    内容描述： 价值线， 16兆赫STM8S 8位MCU ， 8 KB闪存， 128字节的数据EEPROM ， 10位ADC ， 3个定时器， UART ， SPI ， I＆ SUP2 ; ç [Value line, 16 MHz STM8S 8-bit MCU, 8 Kbytes Flash, 128 bytes data EEPROM, 10-bit ADC, 3 timers, UART, SPI, I²C]
    分类和应用： 闪存可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
    文件页数/大小： 99 页 / 952 K
    品牌： STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
     浏览型号STM8S003F3P6的Datasheet PDF文件第62页浏览型号STM8S003F3P6的Datasheet PDF文件第63页浏览型号STM8S003F3P6的Datasheet PDF文件第64页浏览型号STM8S003F3P6的Datasheet PDF文件第65页浏览型号STM8S003F3P6的Datasheet PDF文件第67页浏览型号STM8S003F3P6的Datasheet PDF文件第68页浏览型号STM8S003F3P6的Datasheet PDF文件第69页浏览型号STM8S003F3P6的Datasheet PDF文件第70页  
    电气特性
    STM8S003K3 STM8S003F3
    (1)
    (2)
    根据表征结果的数据，而不是在生产测试。
    内存的物理粒度为4个字节，所以骑自行车是4个字节进行
    即使当一个写入/擦除操作涉及一个字节。
    9.3.6
    I / O端口引脚特性
    一般特性
    除一般的工作条件V
    DD
    和T
    A
    除非另有规定。所有未使用
    引脚必须保持在一个固定的电压：使用I / O的输出模式，例如或
    外部上拉或下拉电阻。
    表37 ： I / O的静态特性
    符号
    V
    IL
    参数
    输入低电平电压
    条件
    V
    DD
    = 5 V
    民
    -0.3 V
    典型值
    最大
    0.3 x
    V
    DD
    单位
    V
    V
    IH
    输入高电平电压
    0.7 x
    V
    DD
    700
    V
    DD
    = 5 V, V
    IN
    = V
    SS
    快速I / O
    负载= 50 pF的
    标准和高汇
    I / O的
    负载= 50 pF的
    I
    LKG
    I
    LKG语录
    I
    LKG （ INJ ）
    数字输入漏电流
    模拟量输入漏电流
    在相邻的漏电流
    I / O
    V
    SS
    ≤ V
    IN
    ≤V
    DD
    V
    SS
    ≤ V
    IN
    ≤ V
    DD
    注入电流± 4毫安
    ±1
    ±1
    (2)
    V
    DD
    +
    0.3
    mV
    80
    20
    (2)
    V
    HYS
    R
    pu
    t
    R
    , t
    F
    迟滞
    (1)
    上拉电阻
    上升和下降时间
    (10 % - 90 %)
    30
    55
    kΩ
    ns
    125
    (2)
    μA
    (2)
    ±250
    (2)
    nA
    μA
    (1)
    施密特触发器的开关电平之间的滞后电压。基于定性结果，而不是
    在生产测试。
    (2)
    根据表征结果的数据，而不是在生产测试。
    66/99
    DocID018576第2版

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