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    STM32F103C8U6TR 参数 Datasheet PDF下载

    STM32F103C8U6TR图片预览
    型号： STM32F103C8U6TR
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 中密度高性能线的基于ARM的32位MCU，具有64或128 KB的闪存， USB ， CAN ，7个定时器， 2的ADC ，9个通信接口 [Medium-density performance line ARM-based 32-bit MCU with 64 or 128 KB Flash, USB, CAN, 7 timers, 2 ADCs, 9 communication interfaces]
    分类和应用： 闪存通信
    文件页数/大小： 92 页 / 1212 K
    品牌： STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
     浏览型号STM32F103C8U6TR的Datasheet PDF文件第30页浏览型号STM32F103C8U6TR的Datasheet PDF文件第31页浏览型号STM32F103C8U6TR的Datasheet PDF文件第32页浏览型号STM32F103C8U6TR的Datasheet PDF文件第33页浏览型号STM32F103C8U6TR的Datasheet PDF文件第35页浏览型号STM32F103C8U6TR的Datasheet PDF文件第36页浏览型号STM32F103C8U6TR的Datasheet PDF文件第37页浏览型号STM32F103C8U6TR的Datasheet PDF文件第38页  
    电气特性
    STM32F103x8 ， STM32F103xB
    5.1.7
    消耗电流测量
    图13.电流消耗测量方案
    IDD_VBAT
    VBAT
    国际直拨电话
    VDD
    VDDA
    ai14126
    5.2
    绝对最大额定值
    强调以上列出的绝对最大额定值
    表6 ：电压特性，
    表7 ：电流特性，
    和
    表8 ：热特性
    可能会造成永久性的
    损坏设备。这些压力额定值只，设备的功能操作
    在这些条件下，是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，其
    期间可能会影响器件的可靠性。
    表6 。
    符号
    V
    DD
    –V
    SS
    V
    IN
    |V
    DDX
    |
    |V
    SSX
    V
    SS
    |
    V
    静电放电（ HBM）的
    电压特性
    评级
    外部主电源电压（包括V
    DDA
    和V
    DD
    )
    (1)
    在宽容的5伏引脚输入电压
    (2)
    在任何其他引脚的输入电压
    (2)
    不同V之间变化
    DD
    电源引脚
    所有不同的接地引脚之间的差异
    静电放电电压（人体
    模型）
    民
    –0.3
    V
    SS
    0.3
    V
    SS
    0.3
    最大
    4.0
    +5.5
    V
    DD
    +0.3
    50
    mV
    50
    SEE
    第5.3.11 ：
    绝对最大额定值
    （电气灵敏度）
    V
    单位
    1.所有主电源（V
    DD
    , V
    DDA
    ）和接地（Ⅴ
    SS
    , V
    SSA
    ）引脚必须始终连接到外部电源
    供应，在允许的范围内。
    2. I
    INJ （ PIN）
    决不能超出（见
    表7 ：电流特性） 。
    这若V是隐投保
    IN
    最大的尊重。如果V
    IN
    最大不能被推崇，注入电流必须限制
    从外部向我
    INJ （ PIN）
    值。正注射诱导V
    IN
    ＆ GT ; V
    IN
    最大值而负喷射是
    诱导V
    IN
    ＆ LT ; V
    SS
    .
    34/92
    文档ID 13587牧师11

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