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    STM32F103RBU6TR 参数 Datasheet PDF下载

    STM32F103RBU6TR图片预览
    型号： STM32F103RBU6TR
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 中密度高性能线的基于ARM的32位MCU，具有64或128 KB的闪存， USB ， CAN ，7个定时器， 2的ADC ，9个通信接口 [Medium-density performance line ARM-based 32-bit MCU with 64 or 128 KB Flash, USB, CAN, 7 timers, 2 ADCs, 9 communication interfaces]
    分类和应用： 闪存通信
    文件页数/大小： 92 页 / 1212 K
    品牌： STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
     浏览型号STM32F103RBU6TR的Datasheet PDF文件第53页浏览型号STM32F103RBU6TR的Datasheet PDF文件第54页浏览型号STM32F103RBU6TR的Datasheet PDF文件第55页浏览型号STM32F103RBU6TR的Datasheet PDF文件第56页浏览型号STM32F103RBU6TR的Datasheet PDF文件第58页浏览型号STM32F103RBU6TR的Datasheet PDF文件第59页浏览型号STM32F103RBU6TR的Datasheet PDF文件第60页浏览型号STM32F103RBU6TR的Datasheet PDF文件第61页  
    STM32F103x8 ， STM32F103xB
    电气特性
    5.3.12
    I / O端口特性
    通用输入/输出特性
    除非另有说明，所述参数在给定的
    表34
    从测试得到的
    总结在的条件下进行
    表9 。
    所有的I / O是CMOS和TTL
    兼容的。
    表34 。
    符号
    V
    IL
    V
    IH
    V
    IL
    V
    IH
    I / O静态特性
    参数
    输入低电平电压
    标准IO输入高电平
    电压
    IO FT
    (1)
    输入高电平电压
    输入低电平电压
    CMOS端口
    输入高电平电压
    标准IO施密特触发器
    电压迟滞
    (2)
    0.65 V
    DD
    200
    5% V
    DD(3)
    V
    SS
    V
    IN
    V
    DD
    标准的I / O
    V
    IN
    = 5 V
    I / O FT
    拉相当于​​弱
    电阻器
    (5)
    下拉等效弱
    电阻器
    (5)
    I / O引脚的电容
    V
    IN
    �½
    V
    SS
    V
    IN
    �½
    V
    DD
    30
    30
    40
    40
    5
    1
    µA
    3
    50
    50
    k
    k
    pF
    TTL接口
    条件
    民
    –0.5
    2
    2
    –0.5
    典型值
    最大
    0.8
    V
    V
    DD
    +0.5
    5.5V
    0.35 V
    DD
    V
    DD
    +0.5
    mV
    mV
    V
    单位
    V
    HYS
    IO FT施密特触发器电压
    迟滞
    (2)
    I
    LKG
    输入漏电流
    (4)
    R
    PU
    R
    PD
    C
    IO
    1， FT =五伏宽容。
    施密特触发器的开关电平之间2.滞后电压。基于特性，而不是在测试
    生产。
    3.用最少的100毫伏。
    4.泄漏可能比最高水平。如果负电流注入上相邻的销。
    5.上拉和下拉电阻器被设计成具有真正的电阻串联的可切换
    PMOS / NMOS 。这种MOS / NMOS贡献
    串联电阻是最小
    （ 〜 10 ％的顺序）
    .
    所有的I / O是CMOS和TTL兼容（无需软件配置） ，其
    特点考虑的最严格的CMOS技术或TTL参数：
    ●
    对于V
    IH
    :
    –
    –
    如果V
    DD
    在[ 2.00 V - 3.08 V]范围： CMOS特性，但包括TTL
    如果V
    DD
    在[ 3.08 V - 3.60 V]范围： TTL特性，但包括CMOS
    如果V
    DD
    在[ 2.00 V - 2.28 V]范围： TTL特性，但包括CMOS
    如果V
    DD
    在2.28 V - 3.60 V]范围： CMOS特性，但包括TTL
    ●
    对于V
    IL
    :
    –
    –
    文档ID 13587牧师11
    57/92

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