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    STM32F103RBT7XXX 参数 Datasheet PDF下载

    STM32F103RBT7XXX图片预览
    型号： STM32F103RBT7XXX
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 中密度高性能线的基于ARM的32位MCU，具有64或128 KB的闪存， USB ， CAN ，7个定时器， 2的ADC ，9个通信接口 [Medium-density performance line ARM-based 32-bit MCU with 64 or 128 KB Flash, USB, CAN, 7 timers, 2 ADCs, 9 communication interfaces]
    分类和应用： 闪存微控制器和处理器外围集成电路通信时钟
    文件页数/大小： 92 页 / 1212 K
    品牌： STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
     浏览型号STM32F103RBT7XXX的Datasheet PDF文件第44页浏览型号STM32F103RBT7XXX的Datasheet PDF文件第45页浏览型号STM32F103RBT7XXX的Datasheet PDF文件第46页浏览型号STM32F103RBT7XXX的Datasheet PDF文件第47页浏览型号STM32F103RBT7XXX的Datasheet PDF文件第49页浏览型号STM32F103RBT7XXX的Datasheet PDF文件第50页浏览型号STM32F103RBT7XXX的Datasheet PDF文件第51页浏览型号STM32F103RBT7XXX的Datasheet PDF文件第52页  
    电气特性
    STM32F103x8 ， STM32F103xB
    5.3.6
    外部时钟源的特性
    从外部源的高速外部用户时钟产生
    在给定的特性
    表20
    使用高速进行的测试结果
    外部时钟源，并在环境温度和电源电压的条件
    在总结
    表9 。
    表20 。
    符号
    f
    HSE_ext
    V
    HSEH
    V
    HSEL
    t
    W（ HSE ）
    t
    W（ HSE ）
    t
    R（ HSE ）
    t
    F（ HSE）的
    C
    在（HSE）
    高速外部用户时钟特性
    参数
    用户外部时钟源
    频率
    (1)
    OSC_IN输入引脚高电平电压
    OSC_IN输入引脚低电平电压
    OSC_IN高或低的时间
    (1)
    OSC_IN上升或下降时间
    (1)
    条件
    民
    1
    0.7V
    DD
    V
    SS
    16
    典型值
    8
    最大
    25
    V
    DD
    0.3V
    DD
    单位
    兆赫
    V
    ns
    20
    5
    45
    V
    SS
    V
    IN
    V
    DD
    55
    ±1
    pF
    %
    µA
    OSC_IN输入电容
    (1)
    DuCy
    （HSE）
    占空比
    I
    L
    OSC_IN输入漏电流
    1.由设计保证，而不是在生产测试。
    来自外部源的低速外部用户时钟产生
    在给定的特性
    表21
    使用低速进行从测试结果
    外部时钟源，并在环境温度和电源电压的条件
    在总结
    表9 。
    表21 。
    符号
    f
    LSE_ext
    V
    LSEH
    V
    LSEL
    t
    W（ LSE ）
    t
    W（ LSE ）
    t
    R（ LSE ）
    t
    F（ LSE ）
    C
    在（ LSE ）
    低速外部用户时钟特性
    参数
    用户外部时钟源
    频率
    (1)
    OSC32_IN输入引脚高电平
    电压
    OSC32_IN输入引脚低电平
    电压
    OSC32_IN高或低的时间
    (1)
    OSC32_IN上升或下降时间
    (1)
    OSC32_IN输入电容
    (1)
    30
    V
    SS
    V
    IN
    V
    DD
    5
    70
    ±1
    0.7V
    DD
    V
    SS
    450
    ns
    50
    pF
    %
    µA
    条件
    民
    典型值
    32.768
    最大
    1000
    V
    DD
    V
    0.3V
    DD
    单位
    千赫
    DuCy
    （ LSE ）
    占空比
    I
    L
    OSC32_IN输入漏
    当前
    1.由设计保证，而不是在生产测试。
    48/92
    文档ID 13587牧师11

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