电气特性
STM32F103xC , STM32F103xD , STM32F103xE
5.3.4
内置参考电压
在给定的参数
在环境从测试得到的执行
温度和V
DD
电源电压条件总结在
表13 。
符号
V
REFINT
内置内部参考电压
参数
内部参考电压
ADC的采样时间
读取内部参考
电压
内部参考电压
散布在温度
范围
温度COEF网络cient
V
DD
= 3 V± 10 mV的
条件
-40°C <牛逼
A
< +105°C
-40°C <牛逼
A
< +85°C
民
1.16
1.16
典型值
1.20
1.20
5.1
最大
1.26
1.24
17.1
(2)
单位
V
V
µs
T
S_vrefint(1)
V
RERINT
10
100
mV
PPM /°C的
T
Coeff(2)
1.最短采样时间可通过多次迭代的应用来确定。
2.通过设计保证,不在生产中测试。
5.3.5
电源电流特性
电流消耗的几个参数和因素,如一个函数
工作电压,环境温度, I / O引脚负载,设备的软件配置,
工作频率, I / O引脚开关速率,程序位置在内存中并执行
二进制代码。
如上述的电流消耗测量
在本节中给出的所有运行模式下的电流消耗测量与执行
减少代码,让折合的Dhrystone 2.1代码中的消耗。
最大电流消耗
微控制器被放置在下述条件下:
●
●
●
●
●
所有的I / O引脚的输入模式,在V的静态值
DD
或V
SS
(无负载)
所有的外设都被禁止时,明确提到,除了
闪存存储器的访问时间被调整到的F
HCLK
从0频率( 0等待状态
到24兆赫, 1等待状态,从24至48兆赫和2个等待状态段)
预取ON (提醒:该位必须设置时钟和总线预分频之前设置)
当启用f显示外设
PCLK1
= f
HCLK
/2, f
PCLK2
= f
HCLK
在给定的参数
和
从进行的测试得出
环境温度和V下
DD
电源电压条件总结在
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文档ID 14611第七版