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    STM32F103RCT7 参数 Datasheet PDF下载

    STM32F103RCT7图片预览
    型号： STM32F103RCT7
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高密度高性能线的基于ARM的32位MCU，具有256至512KB闪存， USB ， CAN ，11个定时器， 3的ADC ，13个通信接口 [High-density performance line ARM-based 32-bit MCU with 256 to 512KB Flash, USB, CAN, 11 timers, 3 ADCs, 13 communication interfaces]
    分类和应用： 闪存通信
    文件页数/大小： 130 页 / 1933 K
    品牌： STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
     浏览型号STM32F103RCT7的Datasheet PDF文件第82页浏览型号STM32F103RCT7的Datasheet PDF文件第83页浏览型号STM32F103RCT7的Datasheet PDF文件第84页浏览型号STM32F103RCT7的Datasheet PDF文件第85页浏览型号STM32F103RCT7的Datasheet PDF文件第87页浏览型号STM32F103RCT7的Datasheet PDF文件第88页浏览型号STM32F103RCT7的Datasheet PDF文件第89页浏览型号STM32F103RCT7的Datasheet PDF文件第90页  
    电气特性
    STM32F103xC ， STM32F103xD ， STM32F103xE
    5.3.14
    I / O端口特性
    通用输入/输出特性
    除非另有说明，所述参数在给定的
    表46
    从测试得到的
    总结在的条件下进行
    表10 。
    所有的I / O是CMOS和TTL
    兼容的。
    表46 。
    符号
    I / O静态特性
    参数
    标准IO输入低电平
    电平电压
    条件
    民
    –0.3
    –0.3
    0.41*(V
    DD
    -2 V)+1.3 V
    V
    DD
    ＆ GT ; 2 V
    V
    DD
    ≤
    2 V
    0.42*(V
    DD
    -2 V)+1 V
    典型值
    最大
    0.28*(V
    DD
    -2 V)+0.8 V
    0.32*(V
    DD
    -2 V)+0.75 V
    V
    DD
    +0.3
    5.5
    V
    5.2
    mV
    单位
    V
    V
    V
    V
    IL
    IO FT
    (1)
    输入低电平
    电压
    标准IO输入高
    电平电压
    V
    IH
    IO FT
    (1)
    输入高电平
    电压
    标准IO施密特
    触发电压
    迟滞
    (2)
    IO FT施密特触发器
    电压迟滞
    (2)
    (4)
    200
    V
    HYS
    5% V
    DD(3)
    V
    SS
    ≤
    V
    IN
    ≤
    V
    DD
    标准的I / O
    V
    IN
    = 5 V,
    I / O FT
    ±1
    mV
    I
    LKG
    输入漏电流
    µA
    3
    30
    30
    40
    40
    5
    50
    50
    kΩ
    kΩ
    pF
    R
    PU
    R
    PD
    C
    IO
    拉相当于​​弱
    电阻器
    (5)
    弱下拉
    等效电阻
    (5)
    I / O引脚的电容
    V
    IN
    =
    V
    SS
    V
    IN
    =
    V
    DD
    1， FT =五伏宽容。为了维持比V的电压更高
    DD
    0.3内部上拉/下拉电阻必须
    禁用。
    施密特触发器的开关电平之间2.滞后电压。基于特征，而不是在生产测试。
    3.用最少的100毫伏。
    4.泄漏可能比最高水平。如果负电流注入上相邻的销。
    5，上拉和下拉电阻设计有串联一个真正的阻力可切换PMOS / NMOS 。这
    MOS / NMOS贡献
    串联电阻是最小
    （ 〜 10 ％的顺序）
    .
    所有的I / O是CMOS和TTL兼容（无需软件配置） 。其
    特性覆盖超过严格的CMOS技术或TTL参数。该
    覆盖这些要求中示出
    图42
    和
    图43
    对于标准的I / O ，并且
    in
    图44
    和
    图45
    5 V容限I / O操作。
    86/130
    文档ID 14611牧师8

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