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    STM32F103C8T6 参数 Datasheet PDF下载

    STM32F103C8T6图片预览
    型号： STM32F103C8T6
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    内容描述： 性能线，基于ARM的32位MCU和Flash ， USB ， CAN ， 7个16位定时器，2个ADC和9通信接口 [Performance line, ARM-based 32-bit MCU with Flash, USB, CAN, seven 16-bit timers, two ADCs and nine communication interfaces]
    分类和应用： 通信
    文件页数/大小： 67 页 / 1083 K
    品牌： STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
     浏览型号STM32F103C8T6的Datasheet PDF文件第39页浏览型号STM32F103C8T6的Datasheet PDF文件第40页浏览型号STM32F103C8T6的Datasheet PDF文件第41页浏览型号STM32F103C8T6的Datasheet PDF文件第42页浏览型号STM32F103C8T6的Datasheet PDF文件第44页浏览型号STM32F103C8T6的Datasheet PDF文件第45页浏览型号STM32F103C8T6的Datasheet PDF文件第46页浏览型号STM32F103C8T6的Datasheet PDF文件第47页  
    STM32F103xx
    电气特性
    5.3.12
    I / O端口引脚特性
    通用输入/输出特性
    除非另有说明，所述参数在给定的
    表29
    从测试得到的
    环境温度和V下进行
    DD
    电源电压条件总结在
    表7中。
    所有未使用的引脚必须在固定的电压举行，通过使用I / O输出模式，外部
    上拉或下拉电阻（见
    图15）。
    表29 。
    符号
    V
    IL
    V
    IH
    V
    IL
    V
    IH
    I / O静态特性
    (1)
    参数
    输入低电平电压
    (2)
    IO TC输入高电平
    电压
    (2)
    IO FT高电平电压
    (2)
    输入低电平电压
    (2)
    输入高电平电压
    (2)
    IO TC施密特触发器电压
    迟滞
    (3)
    CMOS端口
    0.65 V
    DD
    200
    5% V
    DD(4)
    V
    SS
    ≤
    V
    IN
    ≤
    V
    DD
    标准的I / O
    V
    IN
    = 5 V
    5 V容限I / O的
    拉相当于​​弱
    电阻器
    (6)
    下拉等效弱
    电阻器
    (6)
    I / O引脚的电容
    V
    IN
    =
    V
    SS
    V
    IN
    =
    V
    DD
    30
    30
    40
    40
    5
    ±1
    µA
    3
    50
    50
    kΩ
    kΩ
    pF
    TTL接口
    条件
    民
    –0.5
    2
    2
    –0.5
    典型值
    最大
    0.8
    V
    V
    DD
    +0.5
    5.5V
    0.35 V
    DD
    V
    DD
    +0.5
    mV
    mV
    V
    单位
    V
    HYS
    IO TC施密特触发器电压
    迟滞
    (3)
    I
    LKG
    输入漏电流
    (5)
    R
    PU
    R
    PD
    C
    IO
    40
    1. V
    DD
    = 3.3 V ，T
    A
    =
    −
    至105℃，除非另有规定。
    根据表征结果2.价值观，并在生产中测试。
    施密特触发器的开关电平之间3.滞后电压。基于特性数据，未经测试。
    4.用最少的100毫伏。
    5.泄漏可能比最高水平。如果负电流注入上相邻的销。
    6.上拉和下拉电阻器被设计成具有真正的电阻串联的可切换
    PMOS / NMOS 。这种MOS / NMOS贡献
    串联电阻是最小
    （ 〜 10 ％的顺序）
    .
    43/67

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