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STM32F103RBT6XXXTR 参数 Datasheet PDF下载

STM32F103RBT6XXXTR图片预览
型号: STM32F103RBT6XXXTR
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内容描述: [暂无描述]
分类和应用: 微控制器和处理器外围集成电路PC通信时钟
文件页数/大小: 67 页 / 1083 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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电气特性
STM32F103xx
5.3.3
内置复位和电源控制模块特性
在给定的参数
在环境从测试得到的执行
温度和V
DD
电源电压条件总结在
表9 。
符号
内置复位和电源控制模块特性
参数
条件
PLS [2:0 ] = 000 (上升沿)
PLS [2:0 ] = 000 (下降沿)
PLS [2:0 ] = 001 (上升沿)
PLS [2:0 ] = 001 (下降沿)
PLS [2:0 ] = 010 (上升沿)
PLS [2:0 ] = 010 (下降沿)
PLS [2:0 ] = 011 (上升沿)
最小典型最大
2.1
2
2.18 2.26
2.08 2.16
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mV
V
V
mV
4.5
mS
2.19 2.28 2.37
2.09 2.18 2.27
2.28 2.38 2.48
2.18 2.28 2.38
2.38 2.48 2.58
2.28 2.38 2.48
2.47 2.58 2.69
2.37 2.48 2.59
2.57 2.68 2.79
2.47 2.58 2.69
2.66 2.78
2.56 2.68
2.76 2.88
2.66 2.78
100
2.9
2.8
3
2.9
V
PVD
可编程电压
检测电平选择
PLS [2:0 ] = 011 (下降沿)
PLS [2:0 ] = 100 (上升沿)
PLS [2:0 ] = 100 (下降沿)
PLS [2:0 ] = 101 (上升沿)
PLS [2:0 ] = 101 (下降沿)
PLS [2:0 ] = 110 (上升沿)
PLS [2:0 ] = 110 (下降沿)
PLS [2:0 ] = 111 (上升沿)
PLS [2:0 ] = 111 (下降沿)
V
PVDhyst
V
POR / PDR
V
PDRhyst
PVD迟滞
电源开/掉电复位
门槛
PDR迟滞
1
下降沿
上升沿
1.8
1.88 1.96
2.0
1.84 1.92
40
2.5
T
RSTTEMPO
复位因循
5.3.4
内置参考电压
在给定的参数
在环境从测试得到的执行
温度和V
DD
电源电压条件总结在
表10 。
符号
V
REFINT
内置内部参考电压
参数
内部参考电压
条件
45°C <牛逼
A
< + 105°C
45°C <牛逼
A
& LT ; + 85°C
1.16
1.16
典型值
1.20
1.20
最大
1.26
1.24
单位
V
V
28/67