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M25PE10-VMN6TP 参数 Datasheet PDF下载

M25PE10-VMN6TP图片预览
型号: M25PE10-VMN6TP
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内容描述: 1和2兆位,低电压,页面可擦除串行闪存与字节变性, 50兆赫的SPI总线,标准引脚 [1 and 2 Mbit, low voltage, Page-Erasable Serial Flash memories with Byte-Alterability, 50 MHz SPI bus, standard pinout]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 60 页 / 479 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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M25PE20
M25PE10
1和2兆位,低电压,页面可擦除串行闪存产品
与字节变性, 50兆赫的SPI总线,标准引脚
特点
1或2页擦除闪存兆位
2.7 V至3.6 V单电源电压
SPI总线兼容的串行接口
50 MHz的时钟速率(最大)
页面大小: 256字节
- 在11毫秒页写(典型值)
- 在0.8毫秒页面编程(典型值)
- 页擦除在10毫秒(典型值)
界别分组擦除( 32千位)
扇区擦除( 512千位)
批量擦除( 1兆位的M25PE10 , 2兆比特的
该M25PE20 )
深度掉电模式1μA (典型值)
电子签名
- JEDEC标准两字节签名
( 8012h的M25PE20
8011h的M25PE10 )
在64字节扇区软件写保护
基础
超过10万次擦写循环
超过20年的数据保存
该存储区的硬件写保护
使用BP0和BP1位选择
- ECOPACK® (符合RoHS)
VFQFPN8 ( MP )
6 × 5 mm
SO8N ( MN )
150密耳宽
2007年1月
REV 3
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