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    M25PE10-VMN6TP 参数 Datasheet PDF下载

    M25PE10-VMN6TP图片预览
    型号： M25PE10-VMN6TP
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 1和2兆位，低电压，页面可擦除串行闪存与字节变性， 50兆赫的SPI总线，标准引脚 [1 and 2 Mbit, low voltage, Page-Erasable Serial Flash memories with Byte-Alterability, 50 MHz SPI bus, standard pinout]
    分类和应用： 闪存
    文件页数/大小： 60 页 / 479 K
    品牌： STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
     浏览型号M25PE10-VMN6TP的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M25PE10-VMN6TP的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M25PE10-VMN6TP的Datasheet PDF文件第7页浏览型号M25PE10-VMN6TP的Datasheet PDF文件第8页浏览型号M25PE10-VMN6TP的Datasheet PDF文件第10页浏览型号M25PE10-VMN6TP的Datasheet PDF文件第11页浏览型号M25PE10-VMN6TP的Datasheet PDF文件第12页浏览型号M25PE10-VMN6TP的Datasheet PDF文件第13页  
    M25PE20 ， M25PE10
    信号说明
    2.7
    写保护（ W）或顶部区锁定（ TSL ）
    ●
    写保护功能是在T9HX过程中仅
    （见
    重要
    注6页）。
    写保护（ W）输入用于冻结的内存区域是大小
    的写保护，编程和擦除指令（如在指定的值
    theBP1和BP0位的状态寄存器。看
    第6.4节：读状态寄存器
    （ RDSR ）
    这些位的描述） 。
    ●
    顶部部门锁定功能在仅T7X过程可用（见
    重要
    注6页）。
    输入信号设置装置中的硬件保护模式中，当顶部门
    锁（TSL）连接到V
    SS
    ，引起的顶部256页（高位地址）
    记忆变成只读（防止写入，编程和擦除操作） 。
    当顶扇区锁定（ TSL）连接到V
    CC
    中，顶部256页的存储器
    行为类似于其它页面的存储器。
    2.8
    V
    CC
    电源电压
    V
    CC
    是电源电压。
    2.9
    V
    SS
    地
    V
    SS
    是对于V基准
    CC
    电源电压。
    9/60

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