M25P40
说明
所有指令，地址和数据被移位在
和从装置中，最显著第一比特。
串行数据输入（ D）的上采样的第一个上升沿
串行时钟（ C）的后片选（ S）为边缘
驱动为低电平。然后，将1字节的指令代码
必须移入到设备上，最为显著位
首先，在串行数据输入（ D）中，各比特是
锁存串行时钟（ C）的上升沿。
该指令集被列在
每个指令序列开始的一个字节的
指令代码。根据指令，
这随后可能是地址字节，或通过数据
字节，或由两者或无。芯片选择（S ）必须
该指令的最后一位后从动高SE-
quence已被移入。
在读数据字节的情况下（READ ） ，读
数据字节以更高的速度（ FAST_READ ） ，读
状态寄存器（ RDSR）或深放
掉电和阅读电子签名
表4.指令集
指令
雷恩
WRDI
RDSR
WRSR
读
描述
写使能
写禁止
读状态寄存器
写状态寄存器
读取数据字节
单字节指令代码
0000 0110
0000 0100
0000 0101
0000 0001
0000 0011
0000 1011
0000 0010
1101 1000
1100 0111
1011 1001
06h
04h
05h
01h
03h
0Bh
02h
D8h
C7h
B9h
地址
字节
0
0
0
0
3
3
3
3
0
0
0
1010 1011
ABH
0
0
DUMMY
字节
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
3
数据
字节
0
0
1
∞
1
1
∞
1
∞
1 256
0
0
0
1
∞
0
（ RES）的指令，所述移动式指令SE-
quence后面是数据输出序列。芯片
选择（S ），可之后的任何位被驱动为高电平
数据输出序列被移出。
在一个页编程（PP），扇区擦除的情况下
（ SE ） ，批量擦除（ BE ） ，写状态寄存器
（ WRSR ） ，写使能（ WREN ） ，写禁止
（ WRDI ）或深度掉电（ DP ）的指令，
芯片选择（ S）必须在驱动高精确地
字节边界，否则该指令是reject-
不执行主编，和。也就是说，芯片选择（ S）
必须驱动为高电平时，时钟脉冲数
后片选（ S）驱动为低电平是一种精确
多八。
所有尝试期间访问所述存储器阵列
写状态寄存器周期，项目周期或
擦除周期被忽略，内部写
状态寄存器的周期，项目周期或擦除赛扬
CLE继续不受影响。
FAST_READ读取数据字节以更快的速度
PP
SE
BE
DP
页编程
扇区擦除
批量擦除
深度掉电
从深度掉电释放，
和阅读电子签名
从深度掉电发布
水库
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STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
