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    IRF840_02 参数 Datasheet PDF下载

    IRF840_02图片预览
    型号： IRF840_02
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道500V - 0.75ヘ - 8A TO- 220 MOSFET PowerMesh⑩II [N-CHANNEL 500V - 0.75ヘ - 8A TO-220 PowerMesh⑩II MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 8 页 / 219 K
    品牌： STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
     浏览型号IRF840_02的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRF840_02的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF840_02的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF840_02的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF840_02的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF840_02的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRF840_02的Datasheet PDF文件第8页  
    IRF840
    热数据
    Rthj情况
    Rthj - AMB
    T
    l
    热阻结案件最大
    热阻结到环境最大
    最大无铅焊接温度的目的
    1
    62.5
    300
    ° C / W
    ° C / W
    °C
    雪崩特性
    符号
    I
    AR
    E
    AS
    参数
    雪崩电流，重复或不重复
    （脉冲宽度限制T
    j
    MAX ）
    单脉冲雪崩能量
    （起始物为
    j
    = 25 ° C，I
    D
    = I
    AR
    , V
    DD
    = 50 V)
    最大值
    8
    520
    单位
    A
    mJ
    电气特性
    （ TCASE = 25°C除非另有说明）
    关闭
    符号
    V
    （ BR ） DSS
    I
    DSS
    I
    GSS
    参数
    漏源
    击穿电压
    零栅极电压
    漏电流（V
    GS
    = 0)
    门体漏
    电流（V
    DS
    = 0)
    测试条件
    I
    D
    = 250 μA ，V
    GS
    = 0
    V
    DS
    =最大额定值
    V
    DS
    =最大额定值，T
    C
    = 125 °C
    V
    GS
    = ± 20V
    分钟。
    500
    1
    50
    ±100
    典型值。
    马克斯。
    单位
    V
    µA
    µA
    nA
    为ON（1 ）
    符号
    V
    GS （ TH）
    R
    DS （ ON）
    参数
    栅极阈值电压
    静态漏源
    阻力
    测试条件
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 250µA
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 3.5 A
    分钟。
    2
    典型值。
    3
    0.75
    马克斯。
    4
    0.85
    单位
    V
    Ω
    动态
    符号
    g
    fs
    (1)
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    参数
    正向跨导
    输入电容
    输出电容
    反向传输
    电容
    测试条件
    V
    DS
    ＆ GT ;我
    D（上）
    个R
    DS （ ON）最大值，
    I
    D
    = 3.5A
    V
    DS
    = 25V ， F = 1兆赫，V
    GS
    = 0
    分钟。
    典型值。
    6.4
    832
    131
    17
    马克斯。
    单位
    S
    pF
    pF
    pF
    2/8

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