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IRF840_02 参数 Datasheet PDF下载

IRF840_02图片预览
型号: IRF840_02
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内容描述: N沟道500V - 0.75ヘ - 8A TO- 220 MOSFET PowerMesh⑩II [N-CHANNEL 500V - 0.75ヘ - 8A TO-220 PowerMesh⑩II MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 219 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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IRF840
N沟道500V - 0.75Ω - 8A TO- 220
的PowerMESH ™II MOSFET
TYPE
IRF840
s
s
s
s
s
V
DSS
500 V
R
DS ( ON)
& LT ; 0.85
I
D
8A
典型ř
DS
(上) = 0.75
DV dt能力极高/
100%的雪崩测试
新的高压BENCHMARK
栅极电荷最小化
1
3
2
描述
的的PowerMESH
II是第一的演变
代MESH叠加
™.
在重新布局
finements引入大大提高了罗恩*区
品质因数,同时保持设备的铅
荷兰国际集团边缘的所关注的开关速度,栅极
充电和耐用性。
应用
s
大电流,高开关速度
s
SWITH模式电源( SMPS )
s
DC -AC转换器,用于焊接
设备和不间断
电源和电机驱动
TO-220
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(
l
)
P
合计
dv / dt的( 1 )
T
英镑
T
j
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏,栅极电压(R
GS
= 20 kΩ)
栅 - 源电压
漏电流(连续的)在T
C
= 25°C
漏电流(连续的)在T
C
= 100°C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
储存温度
马克斯。工作结温
价值
500
500
± 20
8
5.1
32
125
1.0
3.5
-65到150
150
(1)I
SD
≤8A,
的di / dt
≤50A/µs,
V
DD
V
( BR ) DSS
, T
j
T
JMAX 。
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
V / ns的
°C
°C
( • )脉冲宽度有限的安全工作区
2002年5月
1/8