1N5817, 1N5818, 1N5819
特征
图1 。
正向平均功耗如图2所示。
与平均正向电流
(1N5817/1N5818)
PF （AV） （W）的
0.7
d
= 0.1
d
= 0.05
d
= 0.2
d
= 0.5
正向平均功耗
与平均正向电流
(1N5819)
d
= 0.1
d
= 0.05
d
=1
PF （AV） （W）的
0.6
0.5
0.4
0.3
0.6
0.5
d
=1
d
= 0.2
d
= 0.5
0.4
0.3
0.2
T
0.2
tp
T
0.1
IF （ AV ） （A ）
d
= TP / T
0.1
IF （ AV ） （A ）
d
= TP / T
tp
0.0
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
0.0
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
网络连接gure 3 。
平均正向电流随
环境温度
(δ = 0.5) (1N5817/1N5818)
图4中。
平均正向电流随
环境温度
(δ = 0.5) (1N5819)
IF （ AV ） （A ）
1.2
Rth(j-a)=Rth(j-l)=45°C/W
1.2
1.0
Rth(j-a)=100°C/W
IF （ AV ） （A ）
Rth(j-a)=Rth(j-l)=45°C/W
1.0
0.8
0.6
0.4
T
0.8
0.6
0.4
T
Rth(j-a)=100°C/W
0.2
d
= TP / T
tp
0.2
TAMB （ ° C）
50
75
100
125
150
0.0
0
d
= TP / T
tp
TAMB （ ° C）
50
75
100
125
150
0.0
0
25
25
图5中。
归一化的雪崩功率
降额与脉冲持续时间
图6 。
归一化的雪崩功率
降额与结
温度
P
ARM
（ TP）的
P
ARM
(1 µs)
1
P
ARM
（ TJ ）
P
ARM
(25 °C)
1.2
1
0.1
0.8
0.6
0.01
0.4
0.2
0.001
0.01
0.1
1
t
p
(µs)
10
100
1000
T
j
(°C)
0
25
50
75
100
125
150
文档编号6262第5版
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STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
