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1N5819 参数 Datasheet PDF下载

1N5819图片预览
型号: 1N5819
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内容描述: 电力低压降肖特基整流器 [Low drop power Schottky rectifier]
分类和应用: 二极管
文件页数/大小: 7 页 / 107 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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特征
1N5817, 1N5818, 1N5819
1
特征
表2中。
符号
V
RRM
I
F( RMS )
I
F( AV )
I
FSM
P
ARM
T
英镑
T
j
dv / dt的
1.
绝对额定值(限制值)
价值
参数
1N5817
反向重复峰值电压
正向电流有效值
平均正向
当前
浪涌非重复性
正向电流
重复峰值
雪崩功率
T
L
= 125 °C,
δ
= 0.5
t
p
= 10 ms的正弦
t
p
= 1微秒,T
j
= 25 °C
1200
20
1N5818
30
10
1
25
1200
-65到+ 150
150
10000
900
1N5819
40
V
A
A
A
W
°C
°C
V / μs的
单位
存储温度范围
最大工作结温
(1)
关键的增长速度反向电压
1
dPtot <
条件,以避免热失控,对自身散热片的二极管。
Rth的第(j-一)
DTJ
表3中。
符号
R
号(j -a)的
R
号(j -1)的
热阻
参数
结到环境
交界处领导
导线长度= 10毫米
导线长度= 10毫米
价值
100
45
单位
° C / W
° C / W
表4 。
符号
I
R (1)
静态电气特性
参数
反向漏
当前
正向电压降
测试条件
T
j
= 25 °C
T
j
= 100 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 25 °C
V
R
= V
RRM
I
F
= 1 A
I
F
= 3 A
1N5817
0.5
10
0.45
0.75
1N5818
0.5
10
0.50
0.80
1N5819
0.5
10
0.55
0.85
单位
mA
mA
V
V
V
F
(1)
1.脉冲测试:吨
p
= 380 µs,
δ
& LT ; 2 %
为了评估损失使用下面的方程的导通:
P = 0.3 ×1
F( AV )
+ 0.090 I
F2 ( RMS )
对于1N5817 / 1N5818
P = 0.3 ×1
F( AV )
+ 0.150 I
F2 ( RMS )
为1N5819
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文档编号6262第5版