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    PD55008L-E 参数 Datasheet PDF下载

    PD55008L-E图片预览
    型号： PD55008L-E
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： RF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET [RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 15 页 / 199 K
    品牌： STMICROELECTRONICS [ ST ]
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    PD55008L-E  
    Electrical data  
    1
    Electrical data  
    1.1  
    Maximum ratings  
    Table 1.  
    Symbol  
    V(BR)DSS  
    VGS  
    Absolute maximum ratings (T  
    = 25°C)  
    CASE  
    Parameter  
    Drain-source voltage  
    Value  
    Unit  
    40  
    -0.5 to +15  
    5
    V
    V
    Gate-source voltage  
    Drain current  
    ID  
    A
    PDISS  
    TJ  
    Power dissipation (@ TC = 70°C)  
    Max. operating junction temperature  
    Storage temperature  
    19.5  
    W
    °C  
    °C  
    150  
    TSTG  
    -65 to +150  
    1.2  
    Thermal data  
    Table 2.  
    Symbol  
    RthJC  
    Thermal data  
    Parameter  
    Value  
    Unit  
    Junction - case thermal resistance  
    4.1  
    °C/W  
    3/15  

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