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    SST25VF016B_11 参数 Datasheet PDF下载

    SST25VF016B_11图片预览
    型号： SST25VF016B_11
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    内容描述： 16兆位的SPI串行闪存 [16 Mbit SPI Serial Flash]
    分类和应用： 闪存
    文件页数/大小： 31 页 / 3300 K
    品牌： SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
     浏览型号SST25VF016B_11的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SST25VF016B_11的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SST25VF016B_11的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SST25VF016B_11的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SST25VF016B_11的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SST25VF016B_11的Datasheet PDF文件第7页浏览型号SST25VF016B_11的Datasheet PDF文件第8页浏览型号SST25VF016B_11的Datasheet PDF文件第9页  
    16兆位的SPI串行闪存
    微芯片技术公司
    SST25VF016B
    数据表
    产品说明
    SST的25系列串行闪存系列具有一个四线SPI兼容接口，允许低
    引脚数封装，占用的电路板空间，并最终降低系统总成本。该
    SST25VF016B设备增强改进工作频率和更低的功率变
    消耗比原来SST25VFxxxA设备。 SST25VF016B SPI串行闪存是MAN-
    制造出来与SST专有的高性能CMOS SuperFlash技术。分裂栅单元
    设计和厚氧化层隧穿注入器可实现更高的可靠性和可制造性与比较
    另一种方法。
    该SST25VF016B设备显著提高性能和可靠性，同时降低功耗
    消费。该器件的写入（编程或擦除）以2.7-3.6V的单电源
    SST25VF016B 。所消耗的总能量是施加的电压，电流的函数，并且时间
    应用程序。因为对于任何给定的电压范围， SuperFlash技术的电流更低，亲
    克并具有擦除时间更短，任何擦除或编程操作过程中所消耗的总能量
    低于其他闪存技术。
    该SST25VF016B器件采用8引脚SOIC （ 200密耳）和8触点WSON （ 6×
    5毫米）的软件包。参见图2引脚分配。
    ©2011硅存储技术公司
    S71271-04-000
    01/11
    2

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