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SST25VF016B_11 参数 Datasheet PDF下载

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型号: SST25VF016B_11
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内容描述: 16兆位的SPI串行闪存 [16 Mbit SPI Serial Flash]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 31 页 / 3300 K
品牌: SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
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16兆位的SPI串行闪存
微芯片技术公司
SST25VF016B
数据表
SST的25系列串行闪存系列采用四线SPI兼容接口
面对这使得低引脚数封装,占用的电路板空间
并最终降低系统总成本。该SST25VF016B设备
加强与改进工作频率从而降低功率消耗
化。 SST25VF016B SPI串行闪存采用SST公司生产的
专有的高性能CMOS SuperFlash技术。分裂栅
单元设计和厚氧化层隧穿注入器可实现更高的可靠性和制造
facturability与其他方法相比,
产品特点:
•单电压读写操作
– 2.7-3.6V
•自动地址递增( AAI )编程
- 降低整个芯片的编程时间字节亲
克操作
•串行接口架构
- SPI兼容:模式0和模式3
•检测写操作结束的
- 软件轮询状态寄存器中的BUSY位
- 在AAI模式SO引脚上忙状态读出
•高速时钟频率
- 高达80 MHz的
•保持引脚( HOLD # )
- 暂停串行序列的记忆
不取消选择器件
•卓越的可靠性
- 耐力: 100,000次(典型值)
- 大于100年数据保存时间
•写保护( WP # )
- 启用/禁用状态的锁定功能
注册
•低功耗:
- 读操作工作电流10 mA(典型值)
- 待机电流: 5 μA (典型值)
•软件写保护
- 通过块保护位的身份写保护
注册
•灵活的擦除能力
- 统一4K字节扇区
- 统一32 K字节覆盖块
- 统一64 K字节覆盖块
=温度范围
- 商业: 0 ° C至+ 70°C
- 工业级: -40 ° C至+ 85°C
•快速擦除和字节编程:
- 芯片擦除时间: 35毫秒(典型值)
- 以部门/块擦除时间: 18毫秒(典型值)
- 字节编程时间: 7 μs(典型值)
•封装
- 8引脚SOIC ( 200密耳)
- 8触点WSON ( 6× 5毫米)
•所有非铅(无铅)器件均符合RoHS标准
©2011硅存储技术公司
www.microchip.com
www.sst.com
S71271-04-000
01/11