32兆位的SPI串行闪存
SST25VF032B
数据表
阅读（ 25兆赫）
在读指令， 03H ，支持高达25 MHz的读取。
该装置输出从指定的起始的数据
地址位置。数据输出流是连续的
通过所有地址，直到被终止低到高转录
习得的CE ＃ 。内部地址指针将automati-
美云递增，直到最高的内存地址是
抵达。一旦最高的存储器地址为止，
地址指针将自动递增到
开始的地址空间（环绕） 。对于应试
PLE ，一旦从地址位置的数据3FFFFFH有
被读出时，下一个输出将是从地址位置
000000H.
读指令是通过执行一个8位发起的COM
命令， 03H ，其次是地址位[A
23
-A
0
] 。 CE ＃必须
保持低电平的读出周期的持续时间。看
CE＃
模式3
0 1 2 3 4 5 6 7 8
15 16
23 24
31 32
39 40
47
48
55 56
63 64
70
SCK
模式0
SI
最高位
SO
03
添加。
最高位
高阻抗
添加。
添加。
N
D
OUT
最高位
1327 F06.0
N+1
D
OUT
N+2
D
OUT
N+3
D
OUT
N+4
D
OUT
图5 ：读序列
高速读取（ 80兆赫）
在高速读取指令，支持高达80 MHz的
读通过执行8位命令启动， 0BH ，请遵循
地址位lowed [A
23
-A
0
]和一个空字节。 CE＃
必须保持活性低的高速度 - 的持续时间
读周期。参见图6中高速读取
序列。
下面一个空周期的高速读取指令
化输出从指定地址开始的数据
位置。数据输出流是通过所有连续
地址，直到被终止低到高的转变
CE＃ 。内部地址指针会自动递增
换货直至最高的存储器地址被达到。一旦
所述最高的存储器地址被达到了，所述地址
指针将自动递增到开始（ wrap-
周围的地址空间） 。例如，一旦数据
从地址位置3FFFFFH已被读出时，下一个
输出将来自地址单元000000H 。
CE＃
模式3
SCK
模式0
0 1 2 3 4 5 6 7 8
15 16
23 24
31 32
39 40
47 48
55 56
63 64
71 72
78
SI
0B
添加。
高阻抗
添加。
添加。
X
N
D
OUT
最高位
N+1
D
OUT
N+2
D
OUT
N+3
D
OUT
N+4
D
OUT
1327 F07.1
SO
图6 ：高速读取序列
©2009硅存储技术公司
S71327-03-000
05/09
9
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
