512千位/ 1兆位/ 2兆位1.8V SPI串行闪存
SST25WF512 / SST25WF010 / SST25WF020
SST25VF016B16Mb串行外设接口（ SPI），闪速存储器
超前信息
产品特点：
•单电压读写操作
– 1.65-1.95V
•串行接口架构
- SPI兼容：模式0和模式3
•高速时钟频率
= 40MHz的
•卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次
- 大于100年数据保存时间
•超低功耗：
- 读操作工作电流：9 mA（典型值@ 20MHz的）
- 待机电流： 2 μA （典型值）
•灵活的擦除能力
- 统一4K字节扇区
- 统一32 K字节覆盖块
- 统一64 K字节覆盖块（ 2兆比特专用）
•快速擦除和字节编程：
- 芯片擦除时间： 125毫秒（典型值）
- 以部门/块擦除时间： 62ms （典型值）
- 字节编程时间： 50 μs（典型值）
•自动地址递增（ AAI ）编程
- 降低整个芯片的编程时间
字节编程操作
•检测写操作结束的
- 软件轮询状态寄存器中的BUSY位
- SO引脚上忙状态读出
•复位引脚（ RST ＃ ）或可编程保持引脚
（ HOLD ＃ ）选项
- 硬件复位引脚为默认值
- 保持引脚选择暂停串行序列
不取消选择器件
•写保护（ WP ＃ ）
- 启用/禁用的的锁定功能
状态寄存器
•软件写保护
- 通过块保护位的写保护
状态寄存器
=温度范围
- 工业级： -40 ° C至+ 85°C
•封装
- 8引脚SOIC （ 150密耳）
•所有非铅（无铅）器件均符合RoHS标准
产品说明
该SST25WF512 / 010 / 020顷串行成员
闪存25系列家族，并配有四线， SPI-的COM
兼容的接口，允许低引脚数封装
占用更少的电路板空间，并最终降低
总的系统成本。 SST25WF512 / 010 / 020的SPI串行闪存
回忆与SST专有的制造，高
高性能CMOS SuperFlash技术。分裂栅
单元设计和厚氧化层隧穿注入器可实现更好的
可靠性和可制造性与替代比较
的方法。
该SST25WF512 / 010 / 020设备显著改善
性能和可靠性，同时降低功率消耗
化。该器件写（编程或擦除）跟单
的1.65-1.95V的SST25WF512 / 010 / 020电源。
所消耗的总能量是所施加电压的函数的
年龄，电流和应用的时间。因为对于任何给定
电压范围， SuperFlash技术使用更少的电流
租来编程，并且具有擦除时间更短，总
在任何擦除或编程操作所消耗的能量
低于其他闪存技术。
该SST25WF512 / 010 / 020器件提供一个8
铅， 150密耳SOIC封装。参见图2引脚
分配。
©2006硅存储技术公司
S71328-01-000
02/07
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在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
