512千位/ 1兆位/ 2兆位1.8V SPI串行闪存
SST25WF512 / SST25WF010 / SST25WF020
超前信息
块保护（ BP1 ， BP0 ）
块保护（ BP1 ， BP0 ）位定义的大小
存储区被软件保护，以防止任何MEM-
储器写（编程或擦除）操作，见表5-7 。
在写状态寄存器（ WRSR ）指令用于
编程BP1和BP0位，只要WP ＃为高电平或
块保护锁（ BPL ）位为“0” 。芯片擦除只能
被执行，如果块保护位全部为“0” 。加电后，
起来， BP1和BP0设置为默认值。见表4
默认值在上电时。
块保护锁断（ BPL ）
当WP ＃引脚驱动为低电平（V
IL
） ，它使块擦除
保护锁断（ BPL ）位。当BPL被设置为' 1 '时，它
防止了BPL ，BP1和BP0的任何进一步的改动
位。当WP ＃引脚驱动为高电平（V
IH
） ， BPL位
没有任何作用，它的价值是“无所谓” 。上电后，
BPL位复位为“0” 。
表5 ：软件状态寄存器块保护SST25WF512
状态寄存器位
防护等级
无
1 （上季存储器）
2 （上半部存储器）
3 （全存储器）
1.默认上电时为BP1和BP0是' 11' 。
受保护的内存地址
512千位
无
00C000H-00FFFFH
008000H-00FFFFH
000000H-00FFFFH
T5.1 1328
BP1
1
0
0
1
1
BP0
0
1
0
1
表6 ：软件状态寄存器块保护SST25WF010
状态寄存器位
防护等级
无
1 （上季存储器）
2 （上半部存储器）
3 （全存储器）
1.默认上电时为BP1和BP0是' 11' 。
受保护的内存地址
1兆位
无
018000H-01FFFFH
010000H-01FFFFH
000000H-01FFFFH
T6.0 1328
BP1
1
0
0
1
1
BP0
0
1
0
1
表7 ：软件状态寄存器块保护SST25WF020
状态寄存器位
防护等级
无
1 （上季存储器）
2 （上半部存储器）
3 （全存储器）
1.默认上电时为BP1和BP0是' 11' 。
受保护的内存地址
2兆位
无
030000H-03FFFFH
020000H-03FFFFH
000000H-03FFFFH
T7.0 1328
BP1
1
0
0
1
1
BP0
0
1
0
1
©2006硅存储技术公司
S71328-01-000
02/07
8
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
