SST25VF010_06 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SST25VF010_06
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内容描述：	1兆位的SPI串行闪存 [1 Mbit SPI Serial Flash]
分类和应用：	闪存
文件页数/大小：	22 页 / 304 K
品牌：	SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]

1兆位的SPI串行闪存

SST25VF010

数据表

状态寄存器

软件状态寄存器提供了有关是否状态

闪存阵列可用于任何读或写能操作

ATION ，无论该设备是可写，而且状态

存储器写保护功能。在内部擦除或

程序运行时，状态寄存器，可以只读到

确定完成正在进行的操作。

表5描述了每个位的功能的软件

状态寄存器。

忙

忙位判断是否存在内部擦除

或编程操作正在进行中。 “1 ”为忙位indi-

凯茨设备正忙于正在进行的操作。 “0”

表示该设备已准备好进行下一个有效运作。

写使能锁存器（ WEL ）

在写使能锁存位指示接口的状态

最终存储器写使能锁存器。如果写使能锁存

位设置为“ 1 ” ，表示该设备是可写。如果

位被置为“0” （复位），则表示该设备没有收件

启用和不接受任何存储器写（编程/

擦除）命令。在写使能锁存位将自动

美云在以下情况下复位：

•

上电

写禁止（WRDI ）指令完成

字节编程指令完成

自动地址递增（ AAI ）编程

达到最高的内存地址

扇区擦除指令完成

块擦除指令完成

芯片擦除指令完成

块保护（ BP1 ， BP0 ）

块保护（ BP1 ， BP0 ）位定义的大小

存储器区域中，如表4中所定义，为软件提

tected对任何存储器写（编程或擦除）

操作。在写状态寄存器（ WRSR ）指令

作为只要WP ＃编程BP1和BP0位

是高还是块保护锁（BPL）位为0片擦除

才能执行，如果块保护位均为0 。

上电后， BP1和BP0设置为1 。

块保护锁断（ BPL ）

WP ＃引脚驱动为低电平（V

），使块保护 -

向下锁定（ BPL ）位。当BPL被设置为1时，它可以防止任何

进一步改变的BPL ， BP1和BP0位。当

WP ＃引脚驱动为高电平（V

）， BPL位没有任何作用，

它的值是“不关心” 。上电后， BPL位是

重置为0 。

表4 ：•

OFTWARE

TATUS

EGISTER

LOCK

ROTECTION1

状态

寄存器位

防护等级

1 （ 1/4内存阵列）

2 （ 1/2内存阵列）

3 （全内存阵列）

BP1

BP0

保护

内存区

无

018000H-01FFFFH

010000H-01FFFFH

000000H-01FFFFH

T4.0 1233

1.默认上电时为BP1和BP0是' 11' 。

自动地址递增（ AAI ）

自动地址递增编程，状态位亲

志愿组织上的装置是否处于AAI编程状态

模式或字节编程模式。上电时的默认值是

字节编程模式。

表5 ：•

OFTWARE

TATUS

EGISTER

位

4:5

名字

忙

WEL

BP0

BP1

水库

AAI

功能

1 =内部写操作正在进行中

0 =没有内部写操作正在进行中

1 =器件内存写入启用

0 =器件不内存写入启用

指示块写保护目前的水平（见表4 ）

留作将来使用

自动地址递增编程状态

1 = AAI编程模式

0 =字节编程模式

1 = BP1 ， BP0为只读位

0 = BP1 ， BP0读/写

默认情况下，在加电

读/写

不适用

BPL

读/写

T5.0 1233

S71233-05-000

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