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概述
该Am29BDS128H / Am29BDS640H是128或64兆比特， 1.8
伏只，同时进行读/写，突发模式闪存存储器
储器设备，组织成16 8,388,608 4,194,304或单词
每个位。该器件采用单V
CC
1.65 〜1.95 V至
读取，编程和擦除的存储器阵列。 12.0伏V
HH
在ACC可用于更快的程序的性能，如果DE-
sired 。该设备还可以在标准编程
EPROM编程器。
在75兆赫，该装置提供的9.3纳秒，在一个脉冲串存取
30 pF的具有49 ns的30 pF的延迟。在66兆赫时，设备
提供11 ns的30 pF的突发访问与等待时间
56 ns的30 pF的。在54 MHz时，该设备提供了一阵AC-
13.5 ns的塞斯在30 pF的有69ns的30 pF的延迟。该
器件的工业温度范围内工作
-40 ° C至+ 85°C 。该器件采用FBGA封装。
同时读/写架构提供
simul-
taneous操作
通过将存储空间分成四个
银行。该装置可提高整个系统的性能
通过允许主机系统编程或擦除在一个银行
然后立即和同时从另一个读
银行，零延迟。这将释放系统从状态等待
荷兰国际集团为完成编程或擦除操作。
该装置被划分为列于下表中：
QUANTITY
银行
A
31
B
C
D
8
8
4 K字
96
96
31
15
48
48
15
32 K字
32 K字
32 K字
32 K字
128 MB
8
64 MB
8
SIZE
4 K字
时钟极性功能提供系统设计师一个
选择的时钟边沿，无论是上升或下降。在AC-
略去时钟边沿启动突发访问，并确定
当数据将被输出。
该设备完全指令集的兼容
42.4 JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要写入到命令寄存器使用标准
微处理器写时序。寄存器的内容作为IN-
投入到内部状态机控制的擦除和
编程电路。写周期也在内部锁存器AD-
所需的编程和擦除礼服和数据
操作。读数据从装置的类似于阅读 -
荷兰国际集团与其他Flash或EPROM器件。
该
擦除暂停/删除恢复
功能使
用户把擦除搁置任何一段时间内读取数据
从或程序没有被选择的数据相关，任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。如果一个
读取从SecSi部门区域（一次性亲需要
克面积）后的擦除暂停，则用户必须使用
适当的命令序列以进入和退出该区域。
该
硬件RESET ＃引脚
终止在任何操作
进步和内部状态机复位到读
阵列的数据。在RESET ＃引脚可以连接到系统复位
电路。系统复位将因此还重新设置设备，
使系统微处理器读取启动时固件内
洁具从闪存设备。
主机系统可以检测是否编程或擦除OP-
关合作完成使用设备状态位DQ7
（数据＃投票）和DQ6 / DQ2 （触发位） 。一个程序后，
或擦除周期已经自动完成，设备
返回到读出阵列的数据。
该
扇区擦除架构
允许存储扇区是
擦除和重新编程，而不影响数据CON-
其他部门的帐篷。该装置被完全擦除时
从工厂运出。
硬件数据保护
措施包括低V
CC
DE-
tector自动禁止写操作期间
电源转换。该器件还提供了两种类型的数据
在保护区一级。当在V
IL
,
WP ＃
锁定
4最高和最低的4引导扇区。
该器件提供两种省电功能。当AD-
连衣裙一直稳定一段指定的时间，所述量
器件进入
自动休眠模式。
该系统可
同时将设备插入
待机模式。
功率变
消耗是在两种模式下大大降低。
AMD闪存技术结合多年的闪存
制造经验，生产的最高水平
质量，可靠性和成本效益。该器件electri-
通过美云擦除一个扇区内的所有位同时进行
福勒- Nordheim隧穿。该数据是使用编程
热电子注入。
该VersatileIO ™ （V
IO
）控制允许主机系统设置
的电压电平，该装置产生在其数据输出
看跌期权和电压耐受在其数据输入端为相同的
被断言在V的电压电平
IO
引脚。
该设备采用芯片使能（ CE ＃ ） ，写使能（ WE＃ ） ，
地址有效（ AVD ＃）和输出使能（ OE ＃ ）控制
异步读，写操作。对于突发操作
系统蒸发散，该装置还需要准备好（ RDY ）和
时钟（CLK） 。这种实现可轻松实现与
最小的胶合逻辑以广泛的微处理器/微
控制器，用于高性能的读操作。
突发读取模式功能使系统设计人员使用灵活
两者均在接口设备。用户可以预设
脉冲串的长度和包裹通过相同的内存空间，或
读在连续模式中的闪存阵列。
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Am29BDS128H/Am29BDS640H
27024B3 2006年5月10日
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