数据表
Am29BDS128H/Am29BDS640H
128或64兆比特（ 8 M或4米×16位）
CMOS 1.8伏只同步读/写，突发模式闪存
该Am29BDS640H已经退休，不建议设计。对于新的设计， S29WS064K取代Am29BDS640H 。请参阅S29WS -K系列数据手册
规格和订购信息。该Am29BDS128H可用，并且不受此版本。
特色鲜明
架构优势
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单1.8伏读取，编程和擦除（ 1.65 〜1.95伏）
在0.13微米制程技术制造的
VersatileIO ™ （V
IO
）功能
- 设备产生的数据输出电压和容忍数据
输入电压通过在V的电压来确定
IO
针
- 1.8V兼容I / O信号
同时读/写操作
- 数据可以不断地从一家银行，而读
执行擦除/编程功能的其他银行
•读取和写入操作之间的零延迟
- 四个银行的体系结构：
128 Mb的有16/48/48/16兆位银行
64 Mb的有8/24/24/8兆位银行
可编程突发接口
- 2模式的突发读操作
- 线性突发： 8 ， 16 ，和32个字与环绕
- 连续顺序突发
SecSi
TM
（安全硅）扇形区域
- 最多可以访问128个字，通过一个命令序列
- 最多64个工厂锁定的话
- 最多64个客户，可锁定的话
部门架构
- 银行A和D分别包含两个4千字部门和32
千字部门;银行B和C含有96 32 K字
扇区
- 16个4千字引导扇区
引导扇区是在该地址范围内的顶部的前半部分。
一半是在地址范围的底部
每个部门最少百万擦除周期保证
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
80球FBGA封装（ 128 MB）或64球FBGA （ 64 MB）
包
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硬件特性
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握手功能
- 提供主机系统与最小可能延迟
监测RDY
- 减少等待状态握手选项进一步减少
所需的初始突发访问存取周期开始的
即使地址
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硬件复位输入（ RESET ＃ ）
- 硬件的方法来重置设备读取阵列数据
WP ＃输入
- 写保护（ WP ＃ ）功能允许保护的四个
最高和最低的4 4千字引导扇区，无论
部门保护状态
持久扇区保护
- 一个命令扇区保护法锁定的组合
个别部门和行业组织，以防止程序或
该部门擦除操作
- 扇区可以被锁定并且在V解锁的系统内
CC
水平
密码扇区保护
- 一个成熟的行业保护方法来锁定
个别部门和行业团体的组合
防止程序或使用该部门擦除操作
用户定义的64位的密码
ACC输入：加速功能减少编程
时间;各界锁定时， ACC = V
IL
CMOS兼容输入， CMOS兼容输出
低V
CC
写禁止
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软件特点
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支持通用闪存接口（ CFI ）
软件指令集兼容JEDEC 42.4
标准
- 与Am29F和Am29LV家庭向后兼容
数据＃查询和翻转位
- 提供的检测程序和擦除软件的方法
操作完成
擦除挂起/恢复
- 挂起擦除操作来读取或程序数据
数据，一个没有被擦除扇区，然后重新开始
擦除操作
解锁绕道程序命令
- 发出多个时，降低了总体规划的时间
程序的命令序列
突发暂停/恢复
- 挂起一阵操作，让系统使用
地址和数据总线，比重新开始脉冲串的前一
状态
出版＃
27024
启：
B
修订：
3
发行日期：
2006年5月10日
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性能退化特征
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读访问时间为75/66/54兆赫（C
L
= 30 pF的）
- 9.3 / 11 / 13.5纳秒的工业突发访问时间
温度范围
- 同步的49/56/69 ns的延迟
- 的45/50/55纳秒异步随机存取时间
功耗（典型值，C
L
= 30 pF的）
- 突发模式阅读： 10毫安
- 同步操作： 25毫安
- 编程/擦除： 15毫安
- 待机模式： 0.2 μA
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SPANSION [ SPANSION ]
