S29JL032H
32M ビット（4M ×8 ビット/ 2M ×16 ビット）
CMOS 3.0 V 単一電源，リード/ ライト同時実行，
フラッシュメモリ
ADVANCE
INFORMATION
特徴
超低消費電力（標準値）
— アクティブリード電流：2 mA（1 MHz）
アーキテクチャ
リード / プログラム同時実行
— アクティブリード電流：10 mA（5 MHz）
— スタンバイまたはオートスリープモード時：200 nA
— バンク内においてイレーズ / プログラム機能を実行しなが
ら，別のバンクからデータをリードすることができます。
— リード / ライト動作間の切替遅延ゼロ
セクタ当たりの消去回数1,000,000 回（Typ.）
データ保持能力：20 年（Typ.）
マルチバンクアーキテクチャ
— 4 タイプのバンクアーキテクチャを用意しています（表2
を参照してください）。
ソフトウェアの特徴
ブートセクタ
共通フラッシュメモリ・インタフェース（CFI）をサポート
— デバイス内にトップとボトムブートセクタを用意
— イレーズ可能なセクタの組合せは任意
イレーズサスペンド / イレーズレジューム
— イレーズ動作を中断して，イレーズの対象となっていない
セクタからのデータのリード，または当該セクタへのデー
タのプログラムを実行し，その後，イレーズ動作を再開す
ることができます。
製造には0.13 µm プロセステクノロジを採用
SecSi（セキュアドシリコン）セクタ：256 バイトセクタを別
途使用可
— 工場にてロック設定し特定可能：工場にてランダムに設定
するセキュアな電子シリアル番号用として16 バイトを用
意，オートセレクト機能により工場によるロック設定を検
証可能。
Data# ポーリングおよびトグルビット
— プログラムまたはイレーズサイクルの状態をソフトウェア
的に検出する機能を搭載
アンロックバイパスプログラムコマンド
— 複数のワードまたはバイトのプログラミング時間を短縮す
る事ができます。
— お客様にてロック可能：ワンタイムプログラムのみ可能。
いったんロックすると，データの変更は不可。
消費電力ゼロ動作
— 最新の電力制御回路により，動作待機時の消費電力をほぼ
ゼロに抑制します。
ハードウェアの特徴
Ready / Busy# 出力（RY / BY#）
— プログラムまたはイレーズサイクルの終了をハードウェア
的に検出する機能
JEDEC 規格に準拠
— 端子配列およびソフトウェアは単一電源フラッシュ規格と
互換性保持
ハードウェアリセット端子（RESET#）
— 内部のステートマシンをハードウェア的にリードモードに
リセットする機能
パッケージオプション
48 ピン TSOP（シンスモールアウトラインパッケージ）
WP# / ACC 入力端子
— ライトプロテクト（WP#）機能は，セクタのプロテクト設
性能
定状態にかかわらず，一番外側のブートセクタ2 個を保護
します。
高性能
— 高速アクセスタイム：60 ns
— プログラム時間：4 µs / ワード（標準）（高速プログラム機
— アクセラレーション（ACC）機能によるプログラム時間の
高速化
能適用時）
セクタプロテクト
— セクタ内へのプログラムまたはイレーズ動作をハードウェ
ア的に禁止する機能
— 一時的セクタプロテクト解除機能により，デバイスをシス
テムに実装したまま，プロテクトされたセクタ内のデータ
を変更可能
文書番号 S29JL032H_J 改定 A 修正 11 発行日 2005 年3 月9 日（S29JL032H_A1 August 5, 2004）
本資料には，Spansion LLC で開発中の製品情報が記載されています。この情報は，お客様が本製品を評価される際にお役立ていただくことを目的としています。
Spansion LLC は事前の通知なしに，当該情報を変更したり，製品の製造を中止する場合があります。
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