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S29GL256M10TAIR10 参数 Datasheet PDF下载

S29GL256M10TAIR10图片预览
型号: S29GL256M10TAIR10
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内容描述: 3.0伏只页面模式闪存具有0.23微米的MirrorBit制程技术 [3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology]
分类和应用: 闪存内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 160 页 / 4686 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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P r e l i m i n a r y  
Connection Diagrams  
63-Ball Fine-Pitch BGA  
Top View, Balls Facing Down  
L8  
M8  
A8  
B8  
NC*  
NC*  
NC*  
NC*  
A7  
B7  
C7  
D7  
E7  
F7  
G7  
H7  
J7  
K7  
L7  
M7  
BYTE#1 DQ15/A  
-1  
VSS  
NC*  
NC*  
NC*  
NC*  
A13  
A12  
A14  
A15  
A16  
C6  
A9  
D6  
A8  
E6  
F6  
G6  
H6  
J6  
K6  
A10  
A11  
DQ7  
DQ14  
DQ13  
DQ6  
C5  
D5  
E5  
F5  
G5  
H5  
J5  
K5  
VCC  
WE# RESET#  
A21  
A19  
DQ5  
DQ12  
DQ4  
C4 D4  
E4  
F4  
G4  
H4  
J4  
K4  
RY/BY# WP#/ACC A18  
A20  
DQ2  
DQ10  
DQ11  
DQ3  
C3  
A7  
D3  
E3  
A6  
F3  
A5  
G3  
H3  
J3  
K3  
A17  
DQ0  
DQ8  
DQ9  
DQ1  
C2  
A3  
D2  
A4  
E2  
A2  
F2  
A1  
G2  
A0  
H2  
J2  
K2  
L2  
M2  
A2  
VSS  
CE#  
OE#  
NC*  
NC*  
NC*  
A1  
B1  
L1  
M1  
* Balls are shorted together via the substrate but not connected to the die.  
NC*  
NC*  
NC*  
NC*  
Notes:  
1. Ball H7 is VIO on S29GL064M (model R5).  
Special Package Handling Instructions  
Special handling is required for Flash Memory products in molded packages (TSOP and BGA). The  
package and/or data integrity may be compromised if the package body is exposed to temperatures  
above 150°C for prolonged periods of time.  
April 30, 2004 S29GLxxxM_00A5  
S29GLxxxM MirrorBitTM Flash Family  
13  
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