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    MBM29DL324TE90TN 参数 Datasheet PDF下载

    MBM29DL324TE90TN图片预览
    型号： MBM29DL324TE90TN
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： FLASH存储器CMOS 32米（4 MX 8/2 MX 16 ）位双操作 [FLASH MEMORY CMOS 32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT Dual Operation]
    分类和应用： 存储
    文件页数/大小： 84 页 / 1272 K
    品牌： SPANSION [ SPANSION ]
     浏览型号MBM29DL324TE90TN的Datasheet PDF文件第69页浏览型号MBM29DL324TE90TN的Datasheet PDF文件第70页浏览型号MBM29DL324TE90TN的Datasheet PDF文件第71页浏览型号MBM29DL324TE90TN的Datasheet PDF文件第72页浏览型号MBM29DL324TE90TN的Datasheet PDF文件第74页浏览型号MBM29DL324TE90TN的Datasheet PDF文件第75页浏览型号MBM29DL324TE90TN的Datasheet PDF文件第76页浏览型号MBM29DL324TE90TN的Datasheet PDF文件第77页  
    MBM29DL32XTE/BE80/90  
    VA = Address for programming  
    = Any of the sector addresses  
    within the sector being erased  
    during sector erase or multiple  
    sector erases operation.  
    Start  
    Read Byte  
    (DQ7 to DQ0)  
    Addr. = VA  
    = Any of the sector addresses  
    within the sector not being  
    protected during chip erase  
    Yes  
    operation.  
    DQ7 = Data?  
    No  
    No  
    DQ5 = 1?  
    Yes  
    Read Byte  
    (DQ7 to DQ0)  
    Addr. = VA  
    Yes  
    DQ7 = Data?  
    *
    No  
    Fail  
    Pass  
    * : DQ7 is rechecked even if DQ5 = “1” because DQ7 may change simultaneously with DQ5.  
    Data Polling Algorithm  
    73  

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