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    MBM29DL324TE90TN 参数 Datasheet PDF下载

    MBM29DL324TE90TN图片预览
    型号： MBM29DL324TE90TN
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： FLASH存储器CMOS 32米（4 MX 8/2 MX 16 ）位双操作 [FLASH MEMORY CMOS 32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT Dual Operation]
    分类和应用： 存储
    文件页数/大小： 84 页 / 1272 K
    品牌： SPANSION [ SPANSION ]
     浏览型号MBM29DL324TE90TN的Datasheet PDF文件第57页浏览型号MBM29DL324TE90TN的Datasheet PDF文件第58页浏览型号MBM29DL324TE90TN的Datasheet PDF文件第59页浏览型号MBM29DL324TE90TN的Datasheet PDF文件第60页浏览型号MBM29DL324TE90TN的Datasheet PDF文件第62页浏览型号MBM29DL324TE90TN的Datasheet PDF文件第63页浏览型号MBM29DL324TE90TN的Datasheet PDF文件第64页浏览型号MBM29DL324TE90TN的Datasheet PDF文件第65页  
    MBM29DL32XTE/BE80/90  
    2AAh  
    555h  
    555h  
    Address  
    555h  
    tWC  
    2AAh  
    SA*  
    tAS  
    tAH  
    CE  
    tCS  
    tCH  
    OE  
    tWP  
    tWPH  
    tGHWL  
    WE  
    tDS  
    tDH  
    10 for chip Erase  
    10h/  
    30h  
    AAh  
    55h  
    80h  
    AAh  
    55h  
    Data  
    VCC  
    tVCS  
    * : SA is the sector address for Sector Erase. Addresses = 555h (Word) , AAAh (Byte) for Chip Erase.  
    Note : These waveforms are for the ×16 mode. (The addresses differ from ×8 mode.)  
    Chip/Sector Erase Operation Timing Diagram  
    61  

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