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MBM29DL163BE-70TN 参数 Datasheet PDF下载

MBM29DL163BE-70TN图片预览
型号: MBM29DL163BE-70TN
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内容描述: 闪存的CMOS 16M ( 2M ×8 / 1M ×16 )位双操作 [FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 76 页 / 1048 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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MBM29DL16XTE/BE70/90  
(8) Bank-to-bank Read/Write Timing Diagram  
Read  
Command  
Read  
Command  
Read  
Read  
tRC  
tWC  
tRC  
tWC  
tRC  
tRC  
BA2  
BA2  
(PA)  
BA2  
(PA)  
Address  
CE  
BA1  
BA1  
BA1  
(555h)  
tACC  
tCE  
tAS  
tAS  
tAH  
tAHT  
tOE  
tCEPH  
OE  
WE  
DQ  
tDF  
tGHWL  
tOEH  
tWP  
tDH  
tDS  
tDF  
Valid  
Valid  
Valid  
Output  
Valid  
Valid  
Status  
Output  
Intput  
(A0h)  
Intput  
Output  
(PD)  
Note: This is the example of Read for Bank 1 and Embedded Algorithm (program) for Bank 2.  
BA1: Address corresponding to Bank 1.  
BA2: Address corresponding to Bank 2.  
(9) DQ2 vs. DQ6  
Enter  
Embedded  
Erasing  
Erase  
Suspend  
Enter Erase  
Suspend Program  
Erase  
Resume  
WE  
Erase  
Erase Suspend  
Read  
Erase  
Suspend  
Program  
Erase Suspend  
Read  
Erase  
Erase  
Complete  
DQ6  
DQ2*  
Toggle  
DQ2 and DQ6  
with OE or CE  
* : DQ2 is read from the erase-suspended sector.  
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