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    MBM29DL163BE-70TN 参数 Datasheet PDF下载

    MBM29DL163BE-70TN图片预览
    型号： MBM29DL163BE-70TN
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 闪存的CMOS 16M （ 2M ×8 / 1M ×16 ）位双操作 [FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation]
    分类和应用： 闪存存储内存集成电路光电二极管
    文件页数/大小： 76 页 / 1048 K
    品牌： SPANSION [ SPANSION ]
     浏览型号MBM29DL163BE-70TN的Datasheet PDF文件第42页浏览型号MBM29DL163BE-70TN的Datasheet PDF文件第43页浏览型号MBM29DL163BE-70TN的Datasheet PDF文件第44页浏览型号MBM29DL163BE-70TN的Datasheet PDF文件第45页浏览型号MBM29DL163BE-70TN的Datasheet PDF文件第47页浏览型号MBM29DL163BE-70TN的Datasheet PDF文件第48页浏览型号MBM29DL163BE-70TN的Datasheet PDF文件第49页浏览型号MBM29DL163BE-70TN的Datasheet PDF文件第50页  
    MBM29DL16XTE/BE70/90  
    (Continued)  
    *1 : The ICC current listed includes both the DC operating current and the frequency dependent component.  
    *2 : ICC active while Embedded Algorithm (program or erase) is in progress.  
    *3 : This timing is only for Sector Group Protection operation and Autoselect mode.  
    *4 : Applicable for only VCC.  
    *5 : Automatic sleep mode enables the low power mode when address remains stable for 150 ns.  
    *6 : Embedded Algorithm (program or erase) is in progress. (@5 MHz)  
    46  

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