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MBM29DL161TE-70TN 参数 Datasheet PDF下载

MBM29DL161TE-70TN图片预览
型号: MBM29DL161TE-70TN
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内容描述: 闪存的CMOS 16M ( 2M ×8 / 1M ×16 )位双操作 [FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 76 页 / 1048 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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MBM29DL16XTE/BE70/90  
(5) AC Waveforms for Chip/Sector Erase Operations  
2AAh  
555h  
555h  
Address  
555h  
tWC  
2AAh  
SA*  
tAS  
tAH  
CE  
tCS  
tCH  
OE  
tWP  
tWPH  
tGHWL  
WE  
tDS  
tDH  
10h for Chip Erase  
10h/  
30h  
AAh  
55h  
80h  
AAh  
55h  
Data  
VCC  
tVCS  
* : SA is the sector address for Sector Erase. Addresses = 555h (Word) for Chip Erase.  
Note : These waveforms are for the ×16 mode. The addresses differ from ×8 mode.  
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