欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

AM29BL162CB-3DGH1 参数 Datasheet PDF下载

AM29BL162CB-3DGH1图片预览
型号: AM29BL162CB-3DGH1
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 16兆位( 1一M× 16位) CMOS 3.0伏只,突发模式,引导扇区闪存裸片修订版1 [16 Megabit (1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Burst-Mode, Boot Sector Flash Memory-Die Revision 1]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 19 页 / 300 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
 浏览型号AM29BL162CB-3DGH1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AM29BL162CB-3DGH1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AM29BL162CB-3DGH1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AM29BL162CB-3DGH1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AM29BL162CB-3DGH1的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AM29BL162CB-3DGH1的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AM29BL162CB-3DGH1的Datasheet PDF文件第9页浏览型号AM29BL162CB-3DGH1的Datasheet PDF文件第10页  
S U P P L E M E N T  
AC Characteristics  
Erase/Program Operations  
Speed Options  
Parameter  
Description  
JEDEC  
tAVAV  
Std  
tWC  
tAS  
80R  
Unit  
ns  
Write Cycle Time (Note 1)  
Min  
Min  
Min  
Min  
Min  
Min  
80  
tAVWL  
tWLAX  
tDVWH  
tWHDX  
Address Setup Time  
Address Hold Time  
Data Setup Time  
ns  
tAH  
45  
35  
0
ns  
tDS  
ns  
tDH  
tOES  
Data Hold Time  
ns  
Output Enable Setup Time  
0
ns  
Read Recovery Time Before Write  
(OE# High to WE# Low)  
tGHWL  
tGHWL  
Min  
0
ns  
tELWL  
tWHEH  
tWLWH  
tWHWL  
tWHWH1  
tWHWH2  
tCS  
tCH  
CE# Setup Time  
Min  
Min  
Min  
Min  
Typ  
Typ  
Min  
Min  
Min  
0
0
ns  
ns  
ns  
ns  
µs  
sec  
µs  
ns  
ns  
CE# Hold Time  
tWP  
Write Pulse Width  
35  
30  
9
tWPH  
tWHWH1  
tWHWH2  
tVCS  
Write Pulse Width High  
Programming Operation (Note 2)  
Sector Erase Operation (Note 2)  
VCC Setup Time (Note 1)  
Recovery Time from RY/BY#  
Program/Erase Valid to RY/BY# Delay  
3
50  
0
tRB  
tBUSY  
90  
Notes:  
1. Not 100% tested.  
Am29BL162C Known Good Die  
5
 复制成功!