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    ISZ106N12LM6

     This is a logic level 120 V MOSFET in PQFN 3.3 x 3.3 packaging with 10.6 mOhm on-resistance.  ISZ106N12LM6 is part of Infineon’s  OptiMOS™ 6 power MOSFET family.
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    GCJ21BR71C475MA01#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
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    NGTB30N60L2WG

     IGBT，N 沟道，带低 VF 开关二极管，600V，30A，VCE(sat)=1.4V
    开关栅双极性晶体管二极管
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    GCM31A5C2J100GX01#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
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    FDMS2734

     N 沟道，UltraFET Trench® MOSFET，250V，14A，122mΩ
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