LPT16ED 参数 Datasheet PDF下载

型号：	LPT16ED
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内容描述：	30 GHz的硅锗双极晶体管决赛 [30 GHz SiGe Bipolar Transistor Final]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 317 K
品牌：	SIGE [ SIGE SEMICONDUCTOR, INC. ]

LPT16ED

30 GHz的硅锗双极晶体管

最终科幻

AC电气特性

符号

参数

记

= 1.5V ，我

= 10毫安，

F =为16 GHz

= 3.0V ，我

= 20mA时，

F =为16 GHz

= 1.5V ，我

= 10毫安，

F =为16 GHz

= 3.0V ，我

= 20mA时，

F =为16 GHz

分钟。

0.7

2.3

3.3

4.9

典型值。

1.0

2.6

3.6

5.2

马克斯。

1.3

2.9

4.2

5.6

单位

插入功率增益

= Z

= 50Ω)

MAG /

味精

最大可用

增益或最大稳定

收益

典型性能特性

请参考应用笔记（文档07AN001 ）。

典型的测量@

10 GHz时，我

= 5毫安，V

=1V

残留

相

噪音

（ dBc的/赫兹）

频率（Hz）

典型应用信息

串联或并联的反馈振荡器在5-16千兆赫。（请参考应用笔记，文档07AN001 ）。

38-DST-01

修订版2.3

九月5/02

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