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    LPT16ED 参数 Datasheet PDF下载

    LPT16ED图片预览
    型号： LPT16ED
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 30 GHz的硅锗双极晶体管决赛 [30 GHz SiGe Bipolar Transistor Final]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 5 页 / 317 K
    品牌： SIGE [ SIGE SEMICONDUCTOR, INC. ]
     浏览型号LPT16ED的Datasheet PDF文件第2页浏览型号LPT16ED的Datasheet PDF文件第3页浏览型号LPT16ED的Datasheet PDF文件第4页浏览型号LPT16ED的Datasheet PDF文件第5页  
    LPT16ED
    30 GHz的硅锗双极晶体管
    最终科幻
    应用
    低相位噪声的振荡器高达16 GHz的
    VCO的， DRO的和YIG振荡器
    点至点收音机
    卫星通信
    光纤， OC- 192和OC- 768
    本地多点分配系统LMDS
    产品说明
    该LPT16ED是硅锗低相位
    噪声，高频NPN晶体管振荡器
    应用最多为16 GHz 。
    该晶体管表现出低1 / f噪声，并提供
    +13 dBm的典型输出功率在V
    CE
    3V和我的
    C
    等于20毫安。它很容易从一个单一的操作
    与适当的外部无源电压
    组件。
    在此设备中使用的硅锗技术
    提供了出色的高频性能
    结合高导热性和优异的
    在恶劣的工作和存储的可靠性
    条件。
    晶体管的完整机械介绍
    在SiGe半导体提供文件
    07MS001.
    特点
    低1 / f噪声： -142 dBc的/赫兹，100赫兹的偏移
    相位噪声： -167 dBc的/赫兹在100 kHz偏置
    输出功率高达+13 dBm的
    操作降到1伏， 2毫安
    金凸块焊盘引线键合或倒装芯片（用于
    直接芯片附着）
    订购信息
    TYPE
    LPT16ED
    包
    裸模
    备注
    运
    华夫格包
    功能框图
    C
    B
    E
    38-DST-01
    修订版2.3
    九月5/02
    1 5

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