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    SUD50N03-06P 参数 Datasheet PDF下载

    SUD50N03-06P图片预览
    型号： SUD50N03-06P
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    内容描述： N沟道30 V （D -S ）， 175 ℃的MOSFET [N-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 5 页 / 389 K
    品牌： SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
     浏览型号SUD50N03-06P的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SUD50N03-06P的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SUD50N03-06P的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SUD50N03-06P的Datasheet PDF文件第5页  
    SUD50N03-06P
    N沟道
    30 V （ D- S） 175℃ MOSFET
    典型特征（ 25
    _C
    除非另有说明）
    跨
    120
    T
    C
    = –55
    _C
    25
    _C
    80
    125
    _C
    r
    DS （ ON）
    - 导通电阻（ W）
    0.0150
    导通电阻与漏电流
    100
    克FS - 跨导（S ）
    0.0125
    0.0100
    V
    GS
    = 4.5 V
    0.0075
    V
    GS
    = 10 V
    0.0050
    60
    40
    20
    0.0025
    0
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    0.0000
    0
    20
    40
    60
    80
    100
    I
    D
    - 漏极电流（ A）
    I
    D
    - 漏极电流（ A）
    电容
    4000
    3500
    3000
    2500
    2000
    1500
    1000
    C
    RSS
    500
    0
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    C
    OSS
    C
    国际空间站
    V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
    8
    V
    DS
    = 15 V
    I
    D
    = 50 A
    10
    栅极电荷
    Ç - 电容（pF ）
    6
    4
    2
    0
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    V
    DS
    - 漏极至源极电压（ V）
    Q
    g
    - 总栅极电荷（ NC）
    导通电阻与结温
    2.0
    V
    GS
    = 10 V
    I
    D
    = 20 A
    r
    DS （ ON）
    - 导通电阻
    （归一化）
    I S - 源电流（ A）
    1.5
    100
    源极 - 漏极二极管正向电压
    T
    J
    = 150
    _C
    10
    T
    J
    = 25
    _C
    1.0
    0.5
    0.0
    –50
    1
    –25
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    175
    0
    0.3
    0.6
    0.9
    1.2
    1.5
    T
    J
    =结温（ ° C）
    V
    SD
    - 源极到漏极电压（V ）
    3/5
    www.freescale.net.cn

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