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SUD50N03-06P 参数 Datasheet PDF下载

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型号: SUD50N03-06P
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内容描述: N沟道30 V (D -S ), 175 ℃的MOSFET [N-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 389 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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SUD50N03-06P
N沟道
30 V ( D- S) 175℃ MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
特点
I
D
(A)
b
84
b
59b
r
DS ( ON)
(W)
0.0065在V
GS
= 10 V
0.0095在V
GS
= 4.5 V
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
175
_C
结温
D
优化的低边同步整流
手术
D
100 % R
g
经过测试
*
应用
D
DC / DC转换器
D
同步整流器
TO-252
D
的漏极连接到选项卡
G
D
S
G
顶视图
订货信息:
SUD50N03-06P
SUD50N03-06P -E3 (铅(Pb ) - 免费)
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值(T
A
= 25
_C
除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
a
漏电流脉冲
连续源电流(二极管传导)
a
单脉冲雪崩电流
雪崩能量
最大功率耗散
工作结存储温度范围
L = 0 1毫亨
0.1
T
C
= 25
_C
T
A
= 25
_C
P
D
T
J
, T
英镑
T
C
= 25
_C
T
C
= 100
_C
I
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
符号
V
DS
V
GS
极限
30
"20
84
b
59
b
100
25
45
101.25
88
8.3
a
-55至175
单位
V
A
mJ
W
_C
热电阻额定值
参数
t
v
10秒
最大结到环境
a
结到环境
最大结到外壳
笔记
一。表面安装在FR4板,T
v
10秒。
B 。基于最大允许结温,封装限制电流为50 A.
*含有铅端子不符合RoHS要求,可申请豁免
稳定状态
R
thJA
R
thJC
符号
典型
15
40
1.4
最大
18
50
1.7
单位
° C / W
C / W
1/5
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